Продукція > FDS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6900S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6900S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 296790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6900S | ON Semiconductor | FDS6900S | на замовлення 241200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6900S | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6902 | FSC | SOP-8 | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6909A-NL | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6910 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; 1.6W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6910-NL | FAIRCHIL | SOP8 | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910-Z | onsemi | Description: DUAL N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6910NL | FAIRCHILD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6911 | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | на замовлення 13803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6911 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6911 | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6911 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6911 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET LOW VOLTAGE | на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6911 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6911-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6911NL | FAIRCHILD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6911_NL | FAIRCHILD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6912 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6912 - MOSFET, DUAL, N, SMD, 8-SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 79050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V | на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | ON-Semiconductor | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A Код товару: 148756
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6912A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6912A-NL | на замовлення 89000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6912ANL | FAIRCHILD | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6912A_NL | FSC | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6912NL | FAIRCHILD | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6920S | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930 | FDS | SOP-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930-NL | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6930A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6930A | ONS/FAI | НЕ ДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБОТОК Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6930A | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 DUAL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V | на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6930A-NL | FAIRCHILD | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930ANL | FAIRCHILD | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6930A_NL | FSC | 09+ | на замовлення 22448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930A_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B Код товару: 118461
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6930B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6930B-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6930NL | FAIRCHILD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6932S | SOP | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6936A | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6947A | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6958A | на замовлення 187332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6961 | FDS | SOP-8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A Код товару: 56779
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6961A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6961A-NL | FDS | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6961AZ | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A_F011 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6961A_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 17818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6964S | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V | на замовлення 5204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 20nC On-state resistance: 51mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | FAIRCHILD | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 12852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975 - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FUL tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V | на замовлення 3856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | Fairchild | Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 51mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6975 TFDS6975 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 Код товару: 170481
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | FAIRCHILD | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 24494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6975. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

