Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6961FDSSOP-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A
Код товару: 56779
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.92 грн
18+43.87 грн
25+43.11 грн
100+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961AZFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A_F011onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 17818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6964SFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975 - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FUL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975FairchildTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 51mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6975 TFDS6975
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975onsemiMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975FAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.35 грн
500+79.51 грн
1000+73.33 грн
10000+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975
Код товару: 170481
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 51mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.11 грн
12+67.66 грн
25+67.00 грн
100+60.23 грн
250+55.43 грн
500+48.11 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975FAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.35 грн
500+79.51 грн
1000+73.33 грн
10000+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.63 грн
100+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_NF073onsemi / Fairchild Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_NLFSC09+
на замовлення 33418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_SBAM003ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AFairchild04+ SOP-8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS
Код товару: 148198
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asONS/FAIMOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asFairchild/ON SemiconductorСдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-F095onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASNLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_TGonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S
Код товару: 25427
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 8,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 Ом
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984A-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6984AS - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.77 грн
18+42.22 грн
25+42.08 грн
100+35.57 грн
250+32.80 грн
500+31.32 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 115231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984SONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984S-NLFDS09+
на замовлення 27018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984S_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 10446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.23 грн
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.40 грн
100+40.88 грн
500+30.09 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.17 грн
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS-NLFAIRSOP8
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASNLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS_SN00192onsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 133744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986S-NBBD00FAI09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986S-NL
на замовлення 157114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986SNLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6989FAICHILD00+
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990FDSSOP-8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AONS/FAIMOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A SOIC-8 УСТАРЕВШ. Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A
Код товару: 170942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.