Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD47T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.05 грн
354+40.09 грн
358+39.69 грн
500+35.96 грн
1000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.03 грн
5000+25.91 грн
7500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.32 грн
367+38.65 грн
371+38.26 грн
500+29.70 грн
1000+20.29 грн
3000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GOn SemiconductorTRANS PWR NPN 1A 250V DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.52 грн
100+30.46 грн
500+22.11 грн
1000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.12 грн
50+47.20 грн
100+32.14 грн
500+23.41 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+46.28 грн
100+27.41 грн
500+21.54 грн
1000+19.54 грн
2500+15.81 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.63 грн
14+55.30 грн
25+53.32 грн
100+37.27 грн
250+34.16 грн
500+26.40 грн
1000+19.48 грн
3000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.55 грн
5000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.14 грн
500+23.41 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD47TF - MJD47TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 13322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TF
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TFonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TF-FSFairchild SemiconductorDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TF-NLFAIRCHIL09+ qfp
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
18+45.75 грн
100+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+71.53 грн
75+30.51 грн
525+26.58 грн
1050+24.02 грн
4800+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.88 грн
75+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+48.86 грн
525+40.55 грн
1050+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GOn SemiconductorNPN 400V 1A DPAK (TO-252-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
75+42.39 грн
150+37.83 грн
525+29.40 грн
1050+26.75 грн
2025+24.63 грн
5025+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50RLGonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 1A 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50RLGON Semiconductor1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4STMicroelect1999
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.34 грн
500+20.94 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.69 грн
5000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.34 грн
25+41.00 грн
100+30.83 грн
250+28.26 грн
500+23.04 грн
1000+19.19 грн
3000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+41.00 грн
444+31.97 грн
448+31.65 грн
528+25.92 грн
1000+19.99 грн
3000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.51 грн
50+35.36 грн
100+26.34 грн
500+20.94 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 35529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.57 грн
100+29.14 грн
500+21.12 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GOn SemiconductorNPN 400V 1A DPAK (TO-252-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.16 грн
10+38.11 грн
100+23.47 грн
500+18.85 грн
1000+17.05 грн
2500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+36.92 грн
100+22.23 грн
500+18.57 грн
1000+15.81 грн
2000+14.08 грн
4000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.43 грн
100+26.98 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.73 грн
4000+15.66 грн
6000+14.93 грн
10000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 350V 1A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 350V 1A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GOn SemiconductorTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...175
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.69 грн
5000+16.59 грн
7500+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
на замовлення 12433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+46.84 грн
100+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.12 грн
100+28.94 грн
500+21.01 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6036
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6036-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6036T4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039onsemi BIP DPAK NPN 2A 80V TR FG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4onsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.67 грн
5000+21.26 грн
7500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GOn SemiconductorTRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.72 грн
18+42.65 грн
25+42.43 грн
100+34.79 грн
250+31.03 грн
500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.32 грн
500+26.70 грн
1000+22.44 грн
5000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+49.51 грн
100+34.33 грн
500+25.80 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.65 грн
335+42.43 грн
393+36.08 грн
408+33.52 грн
500+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
15+56.14 грн
100+37.53 грн
500+30.14 грн
1000+27.48 грн
5000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.03 грн
100+38.45 грн
500+28.18 грн
1000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GonsemiDarlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+53.51 грн
100+30.79 грн
500+26.51 грн
1000+24.09 грн
2500+22.16 грн
5000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD772
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD882
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJDINA60
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJDl22
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJDl27
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16