Продукція > SI1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1413EDH-T1VISHAY
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1 SOT363-BALVISHAY
на замовлення 8847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1SOT363-BAL
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDHT1VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3
Код товару: 144318
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 4 Amps 2.8 Watts
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
12+26.04 грн
100+12.82 грн
500+11.43 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
на замовлення 35233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.41 грн
28+29.33 грн
50+24.11 грн
100+17.46 грн
250+14.12 грн
500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 518121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.21 грн
500+13.51 грн
1000+11.16 грн
5000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.70 грн
27+29.97 грн
100+19.21 грн
500+13.51 грн
1000+11.16 грн
5000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 86677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
12+26.94 грн
100+17.25 грн
500+12.26 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 86500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
6000+9.13 грн
9000+8.69 грн
15000+7.69 грн
21000+7.41 грн
30000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417DHVISHAY
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417DH-T1-E3VISHAY04+NOP
на замовлення 44846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDHVISHAY
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1VISHAY05+NOP
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1(BBW)
на замовлення 637365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3VISHAY
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 4A N-CH MOSFET
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.25 грн
100+15.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 49319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.25 грн
100+15.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 24454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.56 грн
31+26.68 грн
100+17.04 грн
500+14.33 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1425DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.25 грн
100+15.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 101991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1427EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.26 грн
500+11.49 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.25 грн
100+15.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.20 грн
30+27.40 грн
100+17.52 грн
500+13.43 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1428EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30-V (D-S)
на замовлення 8573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI14410DY-T1SI99 SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 20V 4A
на замовлення 22670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1441EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 12564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 12V 4A
на замовлення 97575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.85 грн
100+9.62 грн
500+8.71 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.33 грн
28+29.09 грн
100+18.56 грн
500+12.91 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.56 грн
500+12.91 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 141967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
20+14.92 грн
100+9.04 грн
500+8.08 грн
1000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]