Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1414DH-T1-GE3 Код товару: 144318
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V | на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A | на замовлення 29198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70 tariffCode: 85364190 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | на замовлення 7582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | на замовлення 7582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V | на замовлення 36957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6 | на замовлення 504901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417DH | VISHAY | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1417DH-T1-E3 | VISHAY | 04+NOP | на замовлення 44846 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417EDH | VISHAY | на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1417EDH-T1 | VISHAY | 05+NOP | на замовлення 5779 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417EDH-T1(BBW) | на замовлення 637365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 12200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1419DH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1419DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1419DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1419DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1419DH-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1422DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 4A N-CH MOSFET | на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SC70 N CHAN 20V | на замовлення 49319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V | на замовлення 4024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6 | на замовлення 24454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6 | на замовлення 5485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1425DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 6208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1426DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | на замовлення 67375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| Si1427EDH-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 | на замовлення 20923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V | на замовлення 5726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si1428EDH-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1428EDH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30-V (D-S) | на замовлення 8573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1431DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1431DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1433DH-T1 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1433DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1433DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1433DH-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1433DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1433DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI14410DY-T1 | SI | 99 SMD | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1441EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 P-CH 20V 4A | на замовлення 22670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si1441EDH-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1441EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1939 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1441EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 10V Vgs SC70-6 | на замовлення 13205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1441EDH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6 | на замовлення 12564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1441EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 N-CH 12V 4A | на замовлення 97538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SOT363 On-state resistance: 30mΩ | на замовлення 2154 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6 | на замовлення 141311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V | на замовлення 59892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 P-CH 30V 4A | на замовлення 94761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 29360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | на замовлення 64449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 35520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6 | на замовлення 9816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD Mounting: SMD Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.8W Gate charge: 28nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: -4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 On-state resistance: 54mΩ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1450DH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1450DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1467DH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |