Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW70N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+496.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.88 грн
30+435.43 грн
120+370.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMMOSFET N-CH 600V 68A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 450W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 125nC
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 125nC
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
30+342.47 грн
60+313.34 грн
120+271.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW74NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 35 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20STMN-channel 200V - 0.028. - 75A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 240A
Gate charge: 117nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+691.46 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.97 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M6
Drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+460.86 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.83 грн
10+531.36 грн
50+430.56 грн
100+373.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A; 446W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 288A
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 280A
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
на замовлення 3256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
30+204.04 грн
60+184.99 грн
120+158.56 грн
510+134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.47 грн
5+235.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.91 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF20
Код товару: 47368
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Application: automotive industry
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.44 грн
3+345.68 грн
10+305.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.33 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N60M5
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N60M5
Код товару: 47500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+844.87 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+839.75 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 400W
Technology: MDmesh™ V
Kind of package: tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1063.12 грн
10+847.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMMOSFET N-Ch 650V 69A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1156.41 грн
30+686.99 грн
60+636.25 грн
120+557.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW77N65M5 (транзистор)
Код товару: 52935
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+986.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 450W
Technology: MDmesh™ V
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMMOSFET N-CH 650V 69A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+977.38 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2126.25 грн
9+1712.81 грн
10+1606.50 грн
50+1150.45 грн
100+1040.98 грн
200+966.94 грн
600+878.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW78N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SBSeoul Semiconductor Inc.Description: LED
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.