Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7211-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
10+105.22 грн
25+87.69 грн
50+80.46 грн
100+73.15 грн
500+64.00 грн
1000+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7211-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.25V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Si721x Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7211-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.25V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Si721x Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 39538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.61 грн
5+109.84 грн
10+102.01 грн
25+86.92 грн
50+80.76 грн
100+75.04 грн
500+62.25 грн
1000+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
на замовлення 22631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 300Hz
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Strip
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
5+68.95 грн
10+65.52 грн
25+57.70 грн
50+55.11 грн
300+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7212-B-00-IV - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, SOT-23, 3 Pin(s), 1.71 V, 5.5 V
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.71
Bauform - Sensor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7212-B-00-IVR - HALL EFFECT SENSOR IC
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Bandwidth: 300Hz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
5+71.79 грн
10+68.20 грн
25+60.03 грн
50+57.34 грн
100+54.86 грн
500+49.07 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Bandwidth: 300Hz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.82 грн
6000+77.68 грн
9000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.98 грн
10+148.64 грн
100+118.34 грн
500+93.97 грн
1000+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.54 грн
6000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+93.43 грн
100+63.30 грн
500+47.29 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7213-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect / Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with sent output
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7213-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
5+132.97 грн
10+108.05 грн
25+87.40 грн
50+75.69 грн
100+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with open drain output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7214-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
5+89.25 грн
10+72.53 грн
25+58.63 грн
50+50.78 грн
100+46.06 грн
500+38.10 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DNVISHAY09+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7215-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+50.89 грн
25+47.70 грн
50+42.56 грн
100+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7215-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+50.89 грн
25+47.70 грн
50+42.56 грн
100+40.53 грн
500+36.11 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7215-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7216-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.40 грн
6000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-E3 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.46 грн
10+90.29 грн
100+61.33 грн
500+45.91 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.08 грн
10+97.90 грн
100+66.46 грн
500+49.75 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7217-B-01-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-5
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
10+106.26 грн
25+88.56 грн
50+81.26 грн
100+73.87 грн
500+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7217-B-01-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-5
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 7kHz
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DNVISHAY09+
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.29 грн
10+177.82 грн
100+124.84 грн
500+95.95 грн
1000+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.00 грн
10+110.59 грн
100+75.64 грн
500+56.94 грн
1000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 24661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DW-T1-E3
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.94 грн
10+75.69 грн
25+71.53 грн
100+55.06 грн
250+50.48 грн
500+43.61 грн
1000+34.83 грн
3000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 14311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.34 грн
100+47.69 грн
500+35.23 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]