Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60 Volt 3.0A
на замовлення 121294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
6000+14.08 грн
9000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TA 6A17
Код товару: 122665
Додати до обраних Обраний товар
DiodesТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-26
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,125 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 637/15,1
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TA-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TC
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 737000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.87 грн
2000+16.51 грн
3000+15.73 грн
5000+13.90 грн
7000+13.38 грн
10000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 737486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
11+28.76 грн
100+21.07 грн
500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.28 грн
15+51.66 грн
100+37.73 грн
500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTA-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.66 грн
3000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.86 грн
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodesMOSFET P-CH 60V 3A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 14782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -13.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
14+30.86 грн
50+26.33 грн
100+24.49 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.28 грн
3000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 21474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.53 грн
25+40.64 грн
50+33.55 грн
100+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 14612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA*******
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTAPBF
на замовлення 17950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTCDiodes Incorporated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.83 грн
100+32.75 грн
500+24.74 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDiodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.20 грн
5000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.17W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+28.37 грн
500+26.05 грн
1000+23.56 грн
3000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17N8TCDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN/A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8QTCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8QTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.90 грн
25+89.97 грн
50+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A18K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10.4 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A18K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10.4 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10.4A
Power dissipation: 4.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.35 грн
5+88.90 грн
10+66.25 грн
15+62.56 грн
25+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTC
Код товару: 99657
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Channel 6.8A MOSFET
на замовлення 15395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+81.89 грн
25+69.29 грн
50+57.69 грн
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP7A17G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 3.7 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP7A17G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 3.7 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADiodes IncorporatedMOSFETs 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.69 грн
2000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.76 грн
500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.05 грн
2000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP7A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 70 V, 2.6 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.19 грн
8000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 4K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.58 грн
2000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 70V 3.7A
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.39 грн
2000+28.11 грн
3000+26.63 грн
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 40 V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.27 грн
100+41.34 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP7A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 70V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.08 грн
2000+27.81 грн
3000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.