Продукція > ZXM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMP6A16DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16K | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KQTC | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KQTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KQTC | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252 2.5K | на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KQTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Inc./Zetex | MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) | на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17 | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXMP6A17D | N/A | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.81W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.81W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 224645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TC | на замовлення 9356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 224645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC | на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.92W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.6A Gate charge: 17.7nC | на замовлення 2954 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3154 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 13803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 469 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA Код товару: 22302
Додати до обраних
Обраний товар
| Zetex | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23-6 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Id, A: 3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,125 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 670/15,1 Монтаж: SMD УКТЗЕД: 8541 29 00 90 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 13553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60 Volt 3.0A | на замовлення 121294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA 6A17 Код товару: 122665
Додати до обраних
Обраний товар
| Diodes | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-26 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Id, A: 3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,125 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 637/15,1 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TC | на замовлення 29900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17G | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm | на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA | на замовлення 737486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 737000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 8742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Chnl UMOS | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 8207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA******* | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTAPBF | на замовлення 17950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17GTC | Diodes Incorporated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXMP6A17GTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP6A17KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.17W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

