Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP16NF06L-VBVBsemiTransistor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: This item has been discontinued. VBSEMI STP16NF06L-VB; STP16NF06L TSTP16NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NF96LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK60Z
Код товару: 103661
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK60ZST
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK65Z
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK65ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NK65ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25FP
на замовлення 19857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP170N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.96 грн
50+149.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP175(30-60)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP175(60-90)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP175F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP175MWF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP177208AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.84 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.34 грн
10+348.45 грн
100+285.50 грн
500+228.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Gate charge: 26nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.36 грн
5+286.61 грн
25+252.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NF25STTrans MOSFET N-CH 250V 17A STP17NF25 TSTP17NF25
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 10906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.47 грн
50+62.68 грн
100+56.04 грн
500+41.65 грн
1000+38.13 грн
2000+35.17 грн
5000+31.45 грн
10000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 250V STripFET II Mosfet
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFP
Код товару: 133966
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTTrans MOSFET N-CH 400V 15A STP17NK40ZFP STM TSTP17NK40ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.25 грн
78+181.47 грн
100+171.48 грн
500+137.69 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP17NK40ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9.4A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.66 грн
10+219.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMMOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.77 грн
10+182.58 грн
100+172.54 грн
500+138.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.66 грн
50+129.61 грн
100+129.29 грн
500+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1806
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1806STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N10F3STMicroelectronics
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.82 грн
10+143.83 грн
100+116.19 грн
500+95.39 грн
1000+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.80 грн
50+79.04 грн
100+70.98 грн
500+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.18 грн
10+113.67 грн
100+99.17 грн
500+85.70 грн
1000+73.58 грн
2000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.82 грн
98+143.83 грн
121+116.19 грн
500+95.39 грн
1000+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.18 грн
124+113.67 грн
142+99.17 грн
500+85.70 грн
1000+73.58 грн
2000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ 120 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 406-415 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N55
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N55F3STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP180NS04ZCSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP180NS04ZCSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N10F3
на замовлення 17854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N10F3STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N55
на замовлення 17368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-channel 55V 3.5m Mosfet
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N55F3
на замовлення 17688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP189220EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Blue
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP189220AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP189220CEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N10
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N10FI
на замовлення 7885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.52 грн
50+136.15 грн
100+130.66 грн
500+115.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.71 грн
50+132.66 грн
100+120.14 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMN-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+137.74 грн
104+136.37 грн
108+130.86 грн
500+115.88 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.61 грн
2000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.61 грн
2000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.53 грн
50+108.96 грн
100+98.46 грн
500+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.68 грн
50+101.15 грн
100+91.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMMOSFET N-CH 600V 13A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ODPOWIEDNIK: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2
Код товару: 145124
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.14 грн
5+107.07 грн
10+95.54 грн
25+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]