Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.83 грн
78+182.34 грн
100+170.26 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.68 грн
10+175.97 грн
100+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
25+142.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.56 грн
57+251.03 грн
100+212.26 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.86 грн
10+185.50 грн
100+134.77 грн
500+113.82 грн
1000+108.93 грн
2500+101.25 грн
5000+100.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.21 грн
25+251.66 грн
100+212.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.82 грн
100+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.11 грн
25+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40SiliconixN-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4.3 A, 3.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1674.12 грн
5+1427.28 грн
10+1296.93 грн
50+1026.52 грн
100+886.11 грн
250+868.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.23 грн
10+337.71 грн
100+272.22 грн
500+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+363.45 грн
60+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.98 грн
10+245.72 грн
100+178.06 грн
500+164.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.18 грн
10+229.46 грн
25+193.32 грн
50+175.67 грн
100+165.58 грн
125+163.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+589.73 грн
43+336.85 грн
100+271.53 грн
500+235.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.55 грн
25+258.80 грн
100+215.06 грн
500+168.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.51 грн
64+222.65 грн
76+186.87 грн
100+172.65 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+435.54 грн
39+372.77 грн
50+317.18 грн
100+255.41 грн
125+234.06 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50N-кан. HEXFEX TO-247 , U=1000В, I=6,1A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.58 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+397.37 грн
10+225.26 грн
25+198.36 грн
50+182.39 грн
100+173.15 грн
150+168.10 грн
250+162.22 грн
500+154.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.13 грн
10+394.66 грн
100+333.11 грн
500+268.51 грн
1000+246.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFIRFPG50PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.94 грн
10+361.75 грн
100+312.51 грн
500+257.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.52 грн
25+361.89 грн
100+304.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+501.36 грн
50+395.09 грн
100+325.06 грн
500+268.80 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF
Код товару: 23069
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 6,1 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.27 грн
10+301.93 грн
100+220.66 грн
500+186.44 грн
2500+183.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.97 грн
10+285.94 грн
100+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.94 грн
40+361.75 грн
100+312.51 грн
500+257.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 190, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
500+206.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.39 грн
52+277.88 грн
100+273.15 грн
500+255.35 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS29n60LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS29N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS29N60LPBF
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS30N60K
Код товару: 83095
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Super-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5870/220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS30N60KVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS30N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS30N60KPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS30n60LInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LIRTO-247
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50L
Код товару: 165582
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LSuper-247 (TO-274AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LPBFIRC07+;
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS35N50LPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 34 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50A
Код товару: 25171
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Super-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5579/180
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+229.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFTrans MOSFET N-CH 500V 36A Super-247 Транзистори
на замовлення 471 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1244.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 36 A, Ptot, Вт = 446, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5579 @ 25, Qg, нКл = 180, Rds = 130 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SUPER-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBF
Код товару: 113415
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810International RectifierSuper-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810
Код товару: 58957
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Super-247
Uds,V: 100 V
Idd,A: 170 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6790/260
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+152.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810HRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBF
Код товару: 101081
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170, Ptot, Вт = 580, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6790 @ 25 В, Qg, нКл = 390, Rds = 9 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3...5 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-274AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810PBFInfineon / IRMOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3810TRPBFIR09+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815
Код товару: 30170
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 150 V
Idd,A: 105 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6810/260
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815HRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 260nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815PBF
Код товару: 139365
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 63A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS3815PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFPS3815PBF - IRFPS381 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LIRSUPER247
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPS38N60LPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60L
Код товару: 31847
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 38 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7990/320
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LPBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]