Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFPS38N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LPBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50L транзистор
Код товару: 56285
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBFTO-247SUPER Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N50LPBF(транзистор)
Код товару: 92432
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+390.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KSUPER247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFPS40N60KPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.41 грн
5+158.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.99 грн
10+1087.29 грн
25+907.06 грн
100+812.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KPBF
Код товару: 31848
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KIRFPS43N50K Транзисторы HEXFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBF
Код товару: 36735
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Super-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8310/350
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+193.00 грн
10+173.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPS43N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 47 A, 0.078 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 540
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 47 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8310 @ 25, Qg, нКл = 350 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 28 В, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 540 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SUPER-247(TO-274AA) Од.
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
500+618.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS43N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS4888PBFInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.93 грн
30+202.78 грн
120+168.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPW4468PBFXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.73 грн
10+253.36 грн
100+211.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.84 грн
10+230.47 грн
100+166.19 грн
480+145.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR010PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.24 грн
10+131.09 грн
100+127.32 грн
250+118.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.71 грн
10+67.05 грн
100+52.37 грн
500+43.99 грн
1000+37.43 грн
3000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
75+63.60 грн
150+55.18 грн
525+45.69 грн
1050+39.84 грн
2025+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.24 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBF-BE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
на замовлення 11591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.34 грн
10+71.15 грн
100+46.99 грн
500+41.62 грн
1000+38.82 грн
3000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TM
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRIRSOT252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TR SOT252IR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010TRSOT252IR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR012IR
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014ATM
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014N
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.92 грн
10+88.72 грн
100+75.51 грн
500+61.76 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard ).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.72 грн
249+57.15 грн
259+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.63 грн
12+70.47 грн
25+65.42 грн
50+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+53.40 грн
25+31.00 грн
3000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.74 грн
188+75.52 грн
500+64.07 грн
1000+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.40 грн
75+61.64 грн
150+55.46 грн
525+43.78 грн
1050+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+62.47 грн
100+47.41 грн
500+38.82 грн
1000+34.01 грн
3000+31.21 грн
6000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
75+50.57 грн
150+44.23 грн
525+37.84 грн
1050+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR JSMICRO TIRFR014 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TR
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR-ML MOSLEADER TIRFR014 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+73.72 грн
25+64.03 грн
100+44.97 грн
250+44.90 грн
500+37.99 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+65.51 грн
100+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+66.49 грн
100+51.76 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 21970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+74.76 грн
100+50.62 грн
500+42.94 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.41 грн
500+43.95 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.98 грн
10+57.34 грн
100+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.91 грн
12+68.59 грн
100+45.46 грн
500+34.65 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.30 грн
4000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.36 грн
4000+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.54 грн
10+64.48 грн
25+56.00 грн
100+43.15 грн
2000+37.92 грн
4000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]