Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR024N-TR
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+17.08 грн
150+14.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBF
Код товару: 34111
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 370/20
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NPBFInternational RectifierTO-252 (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRInfineonN-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
80+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+46.24 грн
1000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+46.24 грн
1000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+46.24 грн
1000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.44 грн
19+23.19 грн
50+22.26 грн
100+21.33 грн
250+20.32 грн
500+19.39 грн
1000+17.95 грн
2000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 93 шт
  • 27 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.86 грн
2000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 90714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+44.19 грн
50+32.55 грн
100+27.03 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.75 грн
22+35.04 грн
25+30.74 грн
100+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.47 грн
4000+17.29 грн
8000+17.11 грн
12000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 17719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.96 грн
6000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.61 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.76 грн
13+58.44 грн
100+51.45 грн
500+43.77 грн
1000+37.09 грн
3000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.67 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.90 грн
10+77.52 грн
100+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.44 грн
202+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.20 грн
10+43.51 грн
75+40.89 грн
150+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.56 грн
274+51.55 грн
500+45.48 грн
1000+40.13 грн
3000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.68 грн
20+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TF
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TLR
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TM
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TM
Код товару: 18281
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRir-
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 14 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.55 грн
100+75.42 грн
500+56.68 грн
1000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF
Код товару: 119352
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.65 грн
25+50.50 грн
100+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.55 грн
100+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.55 грн
100+75.42 грн
500+56.68 грн
1000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
на замовлення 14932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010IR07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.30 грн
500+93.87 грн
1000+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 91A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Power dissipation: 140W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.09 грн
4000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.24 грн
114+124.10 грн
152+92.89 грн
500+72.68 грн
1000+59.94 грн
2000+55.54 грн
4000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.77 грн
4000+65.02 грн
6000+64.37 грн
10000+61.45 грн
14000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.77 грн
4000+65.02 грн
6000+64.37 грн
10000+61.45 грн
14000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]