Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.09 грн
4000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.24 грн
114+124.10 грн
152+92.89 грн
500+72.68 грн
1000+59.94 грн
2000+55.54 грн
4000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.77 грн
4000+65.02 грн
6000+64.37 грн
10000+61.45 грн
14000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.77 грн
4000+65.02 грн
6000+64.37 грн
10000+61.45 грн
14000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018EInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018EPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.14 грн
4000+35.93 грн
6000+34.54 грн
10000+30.95 грн
14000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.39 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.02 грн
195+72.44 грн
208+67.93 грн
500+56.88 грн
1000+47.71 грн
5000+39.27 грн
12000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+64.65 грн
1000+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.45 грн
133+106.46 грн
250+102.20 грн
500+94.98 грн
1000+85.08 грн
2500+79.26 грн
5000+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.99 грн
12+67.75 грн
25+67.01 грн
100+55.12 грн
250+50.53 грн
500+48.08 грн
1000+47.64 грн
3000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 18455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 20094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.99 грн
10+85.70 грн
100+57.73 грн
500+42.93 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.75 грн
211+67.01 грн
247+57.16 грн
250+54.58 грн
500+50.08 грн
1000+47.64 грн
3000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.65 грн
4000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; IRFR110 smd TIRFR110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1109AHarris CorporationDescription: MOSFET 100V 4.7A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1109AHARRISIRFR1109A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110ATM
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110ATMFAIRCHILDIRFR110ATM
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR110ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110ATMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.10 грн
75+41.06 грн
150+36.86 грн
525+32.79 грн
1050+30.06 грн
2025+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.35 грн
184+76.89 грн
375+66.68 грн
525+62.15 грн
1050+52.74 грн
2025+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.91 грн
12+35.81 грн
75+29.79 грн
150+28.28 грн
375+26.53 грн
525+25.94 грн
1050+24.77 грн
2025+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
75+59.92 грн
150+53.80 грн
525+42.33 грн
1050+38.79 грн
2025+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF
Код товару: 85835
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.45 грн
342+41.33 грн
381+37.11 грн
525+33.00 грн
1050+30.25 грн
2025+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
75+59.92 грн
150+53.80 грн
525+42.33 грн
1050+38.79 грн
2025+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TFSAMSUNG1996
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRIRSOT252
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TR SOT252IR
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLIRTO-252
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRL(94-4354)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+79.75 грн
100+53.75 грн
500+40.00 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+79.75 грн
100+53.75 грн
500+40.00 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.31 грн
4000+39.84 грн
6000+39.45 грн
10000+37.18 грн
14000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
10+84.87 грн
100+57.25 грн
500+42.60 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.51 грн
20+38.36 грн
25+37.97 грн
100+34.90 грн
250+32.00 грн
500+29.09 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF
Код товару: 220037
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 18 шт
  • 18 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishay SiliconixIRFR110TRPBF IRFR110PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.19 грн
4000+39.73 грн
6000+39.33 грн
10000+37.08 грн
14000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.58 грн
178+79.54 грн
245+57.81 грн
500+45.77 грн
1000+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.36 грн
372+37.97 грн
390+36.19 грн
394+34.56 грн
500+30.30 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.64 грн
10+84.20 грн
100+56.80 грн
500+42.26 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 32882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]