Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR12N25DTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRLP
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 250V, 14A, 260 mOhm, 23 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRPBFIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRRPInfineon / IRMOSFET MOSFET, 250V, 14A, 260 mOhm, 23 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR12N25DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR130
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR130AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR130ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15IRTO-252
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DCTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DCTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+99.06 грн
4000+89.56 грн
6000+83.85 грн
10000+78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.68 грн
4000+84.68 грн
6000+79.29 грн
10000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15D20DPBF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20
Код товару: 43319
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20D
Код товару: 121884
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DPBFIRTO-252 10+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 165 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DPBFInternational RectifierD-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTR
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 10393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.61 грн
10+99.85 грн
100+67.32 грн
500+50.09 грн
1000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.79 грн
10+54.52 грн
100+41.13 грн
500+37.92 грн
1000+36.24 грн
2000+31.98 грн
4000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.02 грн
50+61.83 грн
250+53.60 грн
1000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.53 грн
263+53.98 грн
281+50.62 грн
350+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 165 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.86 грн
4000+41.96 грн
6000+40.34 грн
10000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.29 грн
250+70.36 грн
500+67.82 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.75 грн
14+54.53 грн
25+53.98 грн
100+48.82 грн
250+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineonMOSFET N-CH 200V 17A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.83 грн
250+53.60 грн
1000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+58.12 грн
262+54.24 грн
288+49.33 грн
500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DIRTO-252
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15D транзистор
Код товару: 59211
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 150 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,125 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.37 грн
10+147.19 грн
25+133.09 грн
100+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBF
Код товару: 187546
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBFInternational RectifierTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 150V; 18A; 110W; DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET SMPS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRLPInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRLPInfineon / IRMOSFET PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]