Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5401 | DIOTEC | Transistor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N5401-AP; 2N5401-DIO; 2N5401 T2N5401 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 5513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | GOODWORK | Description: PNP600mA 150V 300mW SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 Код товару: 177484
Додати до обраних
Обраний товар
| Diotec | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 400 МГц Напруга Uке, В: 150 В Напруга Uкб, В: 160 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 400 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 150V, 600mA, PNP | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | 2N5401 Микросхемы | на замовлення 4847 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 5513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Type of transistor: PNP Current gain: 50...240 Case: TO92 Frequency: 100...300MHz Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar | на замовлення 1666 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT High Current PNP Bipolar Transistor, TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | DIOTEC | Transistor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N5401-AP; 2N5401-DIO; 2N5401 T2N5401 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 14347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Case: TO92 Frequency: 100MHz Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 | ONS/FAI | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | PNP/150V/0.6A/SEL HFE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon PNP Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor | Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 LEAD FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 PB FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401 PB FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 205 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TO-92 bent Код товару: 209904
Додати до обраних
Обраний товар
| Diotec | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 bent Гранична частота fT, МГц: 400 МГц Напруга Uке, В: 150 В Напруга Uкб, В: 150 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 400 | у наявності: 1135 шт
|
| ||||||||||||||||
| 2N5401 TR | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.3A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 630 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401,412 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.3A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 630 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-(TO-92) | KLS | 2N5401-(TO-92) 2N5401 PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-B | TO92 | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-DIO | Diotec | 2N5401-DIO 2N5401 PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-F | Rectron | Bipolar Transistors - BJT PNP 0.6A 150V Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT PNP 0.6A 150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401-Y-IUTA | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N5401-YTA_NL | FSC | 08+; | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401/2N5551 | FSC | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401/5551 | ?? | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401/RA | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N54012N5551 | FAIRCHILD | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401A | MOTOROLA | на замовлення 5250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401BU | ONS/FAI | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401BU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401BU | 2N5401BU Диоды | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401CTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401CYTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401DIE2HR | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401NLBU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RA | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 625mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RLRAG | ON | на замовлення 96740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401RLRAG Код товару: 94773
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2N5401RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RLRM | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401RLRMG | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401S-RTK/P | KEC | 09+ | на замовлення 153018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401SW | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401TA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401TF | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Current gain: 40...200 Case: TO92 Frequency: 100MHz Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 27908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | ONS/FAI | 2N5401YBU 2N5401-Y PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 32718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401YBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2N5401YTA | 2N5401YTA Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

