Продукція > PMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaMOSFETs PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+14.89 грн
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 22511693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.85 грн
50+23.19 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 167718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP/S500,XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB27EP/S500,X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2995+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 2995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EP/S500,XNexperiaPMPB27EP/S500,X
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3043+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB27EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.024 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.68 грн
41+19.83 грн
100+16.42 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB27EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.024 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.42 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPAXNexperiaMOSFETs 30 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB27EPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.029 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.25 грн
30+27.39 грн
100+16.66 грн
500+13.81 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZNexperia USA Inc.Description: PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZNexperiaMOSFETs PMPB27EP/SOT1220/DFN2020MD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZNexperia USA Inc.Description: PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115NexperiaMOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNEAXNexperia USA Inc.Description: PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 915 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNEAXNexperia USA Inc.Description: PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2858+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 2858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+30.12 грн
100+19.33 грн
500+13.76 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPE,115NexperiaMOSFETs PMPB29XPE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPEAXNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.17 грн
50+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperiaMOSFET PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3985+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +8V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3985+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +8V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.85 грн
50+20.21 грн
100+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 15 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.44 грн
100+13.63 грн
500+9.63 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XN,115NexperiaMOSFETs PMPB33XN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XN,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 4.3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3469+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.3A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.07 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 24172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3922+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+20.94 грн
100+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaMOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3922+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaMOSFETs PMPB33XP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XPZNexperia USA Inc.Description: PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+22.27 грн
100+14.18 грн
500+10.03 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XPZNexperiaMOSFETs PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB33XPZNexperia USA Inc.Description: PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB40SNANXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB40SNA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB40SNA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB40SNA,115NexperiaMOSFET PMPB40SNA/SOT1220/REEL 7" Q1/T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB40SNA115NXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115NXP SemiconductorsPMPB43XPE,115
на замовлення 96666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115NexperiaMOSFET PMPB43XPE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+26.04 грн
100+15.65 грн
500+13.59 грн
1000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115NXP SemiconductorsPMPB43XPE,115
на замовлення 194758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+17.44 грн
1500+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+33.89 грн
50+24.73 грн
100+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.44 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB45EPAXNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaMOSFETs PMPB47XP/SOT1220/DFN2020MD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 1250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaMOSFETs PMPB48EP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]