Продукція > SCS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCS310AHGC9Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AHGC9
Код товару: 160445
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220ACP-2
Зворотна напруга Vrrm, В: 650 В
Прямий струм (per leg) If, А: 10 А
Падіння напруги Vf, В: 1,5 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 300 А
товару немає в наявності
1+221.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AHGC9ROHMDescription: ROHM - SCS310AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.15 грн
30+480.53 грн
50+449.06 грн
100+404.32 грн
250+349.31 грн
500+311.28 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AHGC9ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+450.62 грн
36+395.20 грн
50+314.47 грн
200+288.14 грн
500+238.82 грн
1000+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 10A 75W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.31 грн
10+303.04 грн
100+219.00 грн
500+171.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS310AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 24
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AMCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V;10A;34W SiC SBD TO-220FM
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AMCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Leakage current: 0.2mA
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.31 грн
50+280.24 грн
100+257.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AMC7GROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 10A SIC
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AMC7GRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.17 грн
50+208.34 грн
100+190.07 грн
500+148.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310APC9ROHMDescription: ROHM - SCS310APC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310APC9ROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 10A
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310APC9Rohm SemiconductorDescription: DIODE SC SCHKY 650V 10A TO220ACP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AGC16ROHMDescription: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACGE
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AGC16ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AGC16Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.96 грн
31+469.90 грн
50+373.51 грн
200+341.58 грн
500+282.93 грн
1000+265.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 350A
Max. forward voltage: 1.71V
Power dissipation: 78W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Max. load current: 52A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 240µA
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+544.32 грн
28+512.85 грн
50+481.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9ROHMDescription: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AHGC9ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS312AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.16 грн
10+303.86 грн
100+226.96 грн
500+183.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 36W TO-220FM
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMCROHMDescription: ROHM - SCS312AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMC7GROHMDescription: ROHM - SCS312AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMC7GRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMC7GROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AGC16ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AGC16ROHMDescription: ROHM - SCS315AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACGE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACGE
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.93 грн
50+440.73 грн
100+394.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+347.00 грн
44+325.32 грн
50+316.89 грн
100+304.40 грн
200+280.77 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9ROHMDescription: ROHM - SCS315AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+645.53 грн
25+608.11 грн
50+571.54 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220AC; Ir: 300uA
Technology: SiC
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.71V
Power dissipation: 93W
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Max. load current: 64A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.3mA
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AHGC9ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V;15A;93W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.66 грн
10+376.93 грн
100+314.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 650V 15A 39W TO-220FM
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMCROHMDescription: ROHM - SCS315AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220FP-2; 39W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.71V
Power dissipation: 39W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Max. load current: 39A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.3mA
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.64 грн
50+362.04 грн
100+323.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMC7GROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMC7GROHMDescription: ROHM - SCS315AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS32 (динамік)
Код товару: 132645
Додати до обраних Обраний товар
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.58 грн
34+429.54 грн
50+415.22 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 123A
Leakage current: 0.1mA
Capacitance: 1nF
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+360.64 грн
30+294.99 грн
50+286.68 грн
100+280.87 грн
200+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.58 грн
10+429.54 грн
50+415.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16ROHMDescription: ROHM - SCS320AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACGE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACGE
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+540.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 650V 20A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.83 грн
10+373.93 грн
50+298.53 грн
100+257.40 грн
500+217.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+540.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+540.94 грн
50+431.82 грн
100+396.74 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGHRC16Rohm SemiconductorDescription: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.74 грн
10+361.97 грн
50+288.53 грн
100+248.62 грн
500+209.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGHRC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGHRC16Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+557.03 грн
27+533.09 грн
50+512.79 грн
100+477.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGHRC16ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD : Switching loss reduced, enabling high-speed switching.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AGHRC16ROHMDescription: ROHM - SCS320AGHRC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACGE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACGE
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9ROHMDescription: ROHM - SCS320AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 47
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACP
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+481.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 81A
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+643.79 грн
25+616.13 грн
50+592.66 грн
100+552.10 грн
250+495.69 грн
500+462.92 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS320AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 47
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+601.44 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 123A
Leakage current: 0.1mA
Capacitance: 1nF
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+511.88 грн
30+435.43 грн
50+427.12 грн
100+378.92 грн
200+376.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.83 грн
27+542.59 грн
100+531.54 грн
500+503.76 грн
1000+409.84 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.83 грн
10+542.59 грн
100+531.54 грн
500+503.76 грн
1000+409.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+688.29 грн
25+658.71 грн
50+633.62 грн
100+590.26 грн
250+529.96 грн
500+494.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.00 грн
10+699.24 грн
100+591.29 грн
500+510.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 41W TO-220FM
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+868.00 грн
21+699.24 грн
100+591.29 грн
500+510.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 41W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 46A
Max. forward impulse current: 0.45kA
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 41W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMCRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+481.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.58 грн
10+382.83 грн
50+305.16 грн
100+262.95 грн
500+221.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+603.96 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+553.71 грн
50+416.41 грн
100+382.34 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.96 грн
10+374.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC7GROHMDescription: ROHM - SCS320AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320KE2C11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320KE2C11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.