Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: LPTL Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS312AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 28nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS312AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS312AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 36W TO-220FM | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS312AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 28nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS312AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS312AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS315AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS315AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS315AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;15A;93W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS315AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AMC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 650V 15A 39W TO-220FM | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS315AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220FP-2; 39W Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.3mA Load current: 15A Max. forward voltage: 1.71V Power dissipation: 39W Max. forward impulse current: 410A Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 39A Kind of package: tube Case: TO220FP-2 Technology: SiC Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS315AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS315AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS315AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS32 (динамік) Код товару: 132645
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS320AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 47nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 20A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AGHRC16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD : Switching loss reduced, enabling high-speed switching. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA Technology: SiC Power dissipation: 115W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.4mA Max. forward voltage: 1.71V Load current: 20A Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 0.45kA Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS320AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 47 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP | на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS320AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 47 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 41W Case: TO220FP-2 Mounting: THT Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.4mA Load current: 20A Max. forward voltage: 1.71V Max. forward impulse current: 0.45kA Power dissipation: 41W Max. load current: 46A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 41W TO-220FM | на замовлення 4369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS320AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 47nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320KE2C11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KE2C11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KE2C11 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive : Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD : Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS320KNTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS320KNTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3361BCB | MOT | 04+ DIP16 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3361BCP | MOT | 04+ DIP16 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS350-X | PANDUIT | Description: PANDUIT - SCS350-X - TERMINAL, BUTT SPLICE, 6/0AWG, UNINSUL tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: 000000AWG hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS350-X | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 350 MCM CRIMP | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS350-X | Panduit | Terminals Copp COMPR Butt Splice, STD | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS350UP-X | Panduit Corp | Description: SCS350 UNPLATED LUG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS355 | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS355V | SECOS | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCS3560-0-0370-2000C-2000C | Omron Automation and Safety | Description: CS3560 SAFETY CONTACT 370MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3560-0-0870-2000C-2000C | Omron Automation and Safety | Description: CS3560 SAFETY CONTACT 870MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3560-0-1710-2000C-2000C | Omron Automation and Safety | Description: CS3560 SAFETY CONTACT 1710MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3560-2-0870-2000C | Omron Automation and Safety | Description: SCS3560 SAFETY CONTACT 870MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3560-2-1220L-2000C | Omron Automation and Safety | Description: SCS3560 SAFETY CONTACT 1220MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS3560-2-2450-2000C | Omron Automation and Safety | Description: SCS3560 SAFETY CONTACT 2450MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS38138EC10R2 | MOT | на замовлення 792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCS38138EC13R2 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS38151FD | 02+ QFP | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCS38151FD03A | 07+ | на замовлення 179 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCS38157FD01 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS3KV 10.0 RB 100 | FAVIER | Category: Electro Insulation tubes Description: Insulating tube; fiberglass; brick red; -60÷250°C; Øint: 10mm Type of cable accessories: insulating tube Material: fiberglass Colour: brick red Operating temperature: -60...250°C Internal diameter: 10mm Dielectric strength: 3kV/mm Plating material: silicone caoutchouc Length: 100m | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SCS4-L | PANDUIT | Description: PANDUIT - SCS4-L - TERMINAL, BUTT SPLICE, 2-4AWG, UNINSUL tariffCode: 85369010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Leiterquerschnitt CSA: - rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Uninsulated euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), max.: 4AWG Leiterstärke (AWG), min.: 2AWG hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Isolatorfarbe: - usEccn: EAR99 Produktpalette: Pan-Lug SCS Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SCS4-L | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 2-4AWG CRIMP PAN-LUG Number of Wire Entries: 2 Termination: Crimp Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings Insulation: Non-Insulated Wire Gauge: 2-4 AWG Color: Gray Features: Copper Tubing Packaging: Bulk | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

