Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7223DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.28 грн
6000+28.04 грн
9000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7225DNVISHAY09+
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7225DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DNVishay BCSI7228DN MOSFET 2N-CH 30V 26A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3Vishay BCSI7228DN-T1-GE3 SI7228DN MOSFET 2N-CH 30V 26A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 14A 1.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DP-T1-E3
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230ESANK02+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230M
Код товару: 39780
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230MSANKEN
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.07 грн
167+84.86 грн
240+59.17 грн
253+53.99 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3Vishay BCMOSFET 2N-CH 20V 25A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+52.01 грн
100+36.02 грн
500+28.24 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.17 грн
11+69.27 грн
25+68.51 грн
100+45.72 грн
250+41.92 грн
500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.27 грн
207+68.51 грн
299+47.41 грн
302+45.27 грн
500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.69 грн
6000+21.61 грн
9000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7233DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7234DP
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.87 грн
82+173.59 грн
100+138.38 грн
250+127.38 грн
500+116.06 грн
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.87 грн
10+174.53 грн
25+173.59 грн
100+138.38 грн
250+127.38 грн
500+116.06 грн
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.14 грн
10+165.06 грн
100+115.89 грн
500+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7235E
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR800DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR800DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7250CKSICDIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPK 100V 28.7A
на замовлення 33681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.77 грн
11+70.03 грн
25+69.81 грн
50+66.65 грн
100+57.98 грн
250+55.47 грн
500+55.30 грн
1000+55.11 грн
3000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3Vishay BCMosfet Array 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 25241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.73 грн
10+121.11 грн
100+83.51 грн
500+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3
Код товару: 122330
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7270DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 17.8W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7270DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.61 грн
10+83.72 грн
100+56.59 грн
500+42.21 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.14 грн
176+80.60 грн
177+80.02 грн
209+65.30 грн
250+60.03 грн
500+54.29 грн
1000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.91 грн
6000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.31 грн
10+81.14 грн
25+80.60 грн
50+77.17 грн
100+60.46 грн
250+57.62 грн
500+54.29 грн
1000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 26447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.68 грн
10+89.69 грн
100+60.69 грн
500+45.30 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3
Код товару: 160306
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 40250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.71 грн
6000+36.65 грн
9000+35.36 грн
15000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]