Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD13007FCSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ 80 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+100.16 грн
100+79.72 грн
500+63.31 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.65 грн
5000+33.78 грн
7500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.50 грн
100+55.54 грн
500+41.28 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2484+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD134N4F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD134N4F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+127.62 грн
100+99.98 грн
500+75.03 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD134N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD134N4F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD134N4F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+91.04 грн
100+74.94 грн
500+66.35 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD134N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD134N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N50DM2AGSTMicroelectronicsDescription: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N50DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 320 mOhm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 4323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.82 грн
100+69.31 грн
500+52.00 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.25 грн
100+50.43 грн
500+37.34 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.10 грн
500+62.57 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
11+76.73 грн
100+72.10 грн
500+62.57 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.92 грн
5000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.33 грн
100+67.52 грн
500+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.18 грн
500+53.67 грн
1000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMMOSFET N-CH 650V 10A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
10+109.73 грн
100+68.20 грн
500+52.76 грн
1000+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsSTD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.52 грн
74+191.50 грн
76+188.49 грн
100+178.84 грн
250+162.99 грн
500+153.88 грн
1000+151.30 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.21 грн
10+155.25 грн
100+117.05 грн
500+91.33 грн
1000+82.91 грн
5000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsSTD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N
Код товару: 181495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+163.71 грн
100+114.43 грн
500+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsSTD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.52 грн
10+191.50 грн
25+188.49 грн
100+178.84 грн
250+162.99 грн
500+153.88 грн
1000+151.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsSTD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.05 грн
500+91.33 грн
1000+82.91 грн
5000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NSTMicroelectronicsSTD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.74 грн
10+237.38 грн
100+169.59 грн
500+142.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 109W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 109W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 109W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+351.96 грн
50+162.57 грн
100+142.25 грн
500+121.52 грн
1000+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+128.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 109W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 109W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.25 грн
500+121.52 грн
1000+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140BLKVCCLED Mounting Hardware .2" DIA X .14" BLACK
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMMOSFET N-CH 60V 80A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.04 грн
5000+41.43 грн
7500+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
50+100.79 грн
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.42 грн
100+66.86 грн
500+50.08 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 17536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.95 грн
109+130.15 грн
144+98.58 грн
500+82.91 грн
1000+69.70 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.95 грн
10+130.15 грн
100+98.58 грн
500+82.91 грн
1000+69.70 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.23 грн
500+68.16 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.46 грн
125+113.15 грн
150+94.29 грн
200+85.01 грн
500+73.66 грн
1000+61.99 грн
2000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+115.18 грн
100+83.68 грн
500+66.37 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+116.24 грн
100+90.23 грн
500+68.16 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD14NM50NAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD15-APPLICATORTE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers MARKER SZ 15 ORANGE PRICE PER APPLICATOR
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1501-ADTM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.82 грн
500+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.14 грн
10+169.88 грн
100+165.82 грн
500+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD150N3LLH6
Код товару: 100882
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD150NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]