Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) | на замовлення 7703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR230B | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR230BTM/NFP001 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR230BTM_AM002 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR234B | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405 Код товару: 20910
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR2405 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | International Rectifier | D-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | Infineon (IRF) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 70nC On-state resistance: 16mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF Код товару: 39791
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 56 A Rds(on), Ohm: 0,016 A Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70 Монтаж: SMD | у наявності: 85 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFR2405PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110W; -55°C ~ 175°C; IRFR2405 smd TIRFR2405 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC | на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | International Rectifier | D-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | на замовлення 35426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC | на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 8479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2405TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2405TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407 Код товару: 20911
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 75 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/74 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFR2407 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 42A 26mOhm 74nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFR2407TRLPBF | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 4340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC | на замовлення 4413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR2407TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR2407TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N10D | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15D | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15D Код товару: 20912
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR24N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR24N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 95mOhms 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DPBF | International Rectifier | N-кан. PowerMosfet 150V, 24A, TO-252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 115mOhm; 20A; 72,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR24N15D; IRFR24N15DTR; SP001564950; SP001578104; IRFR24N15DTR-ML MOSLEADER TIRFR24n15d MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | International Rectifier | MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC, TO-252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | на замовлення 7858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF Код товару: 125821
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

