Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS192P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS192PE6327 - BSS192 - SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PE6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Case: PG-SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -190mA Power dissipation: 1W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 771 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) | на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 Код товару: 173677
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89 Оптрони та твердотільні реле | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS20 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Bss200 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 200mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.200MXP; 179020.0,2; 0034.1509 Fuse: fast-acting; 200mA Bss200 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Bss200 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 200mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.200MXP; 179020.0,2; 0034.1509 Fuse: fast-acting; 200mA Bss200 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 | на замовлення 22213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS205NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 24184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 | на замовлення 22929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 419 @ 10, Qg, нКл = 3,2 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 11 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 85mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 5277 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS205NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS205NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PG-SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW | INF | 07+; | на замовлення 9065 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 | на замовлення 34263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 580mA SOT-323-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 32505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 140344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT-323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P | на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 69073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 140344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 Код товару: 185997
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS209PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS21 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS214N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | на замовлення 10190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 56559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 136913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | на замовлення 19812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1686000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327; PT2302B; BSS214NH6327XTSA1 TBSS214n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1686000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon | N-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=1.5A, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 1719 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NL6327 | INFINEON | 09+ MSOP10 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NW H6327 | Infineon | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS214NW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327 | Infineon technologies | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS214NWH6327 | Infineon Technologies | Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET TBSS214nw HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 185992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 | на замовлення 18098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 143 @ 10, Qg, нКл = 0,8 @ 5 В, Rds = 140 мОм @ 1.5 А, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 @ 3,7 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

