Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3018SFK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFV | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V | на замовлення 39033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V | на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 26693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3020LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 2.5W | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V | на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V | на замовлення 22890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 10A PWRDI50 Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 39A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 4.7W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3021SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3021SSS-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3021SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SSS-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3021SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3025LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3025LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3025LK3-13-01 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25mOhm -16.1A | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3025LK3-13-01 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-13 | Diodes | MOSFET P-CH 30V 10.4A UDFN2020-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 59440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | на замовлення 62258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 7710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | на замовлення 97522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3026SFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDE-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDE-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDEQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3027LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3027LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 660mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V | на замовлення 52752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 660mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A | на замовлення 6734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V | на замовлення 13599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |

