Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 38  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP3018SFK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFVDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 39033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.50 грн
100+21.70 грн
500+15.58 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.29 грн
6000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
6000+11.46 грн
9000+10.94 грн
15000+9.72 грн
21000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.64 грн
50+47.92 грн
100+31.17 грн
500+26.10 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.30 грн
100+22.85 грн
500+16.41 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.84 грн
4000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 26693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
10+35.01 грн
100+19.95 грн
500+15.33 грн
1000+13.81 грн
2000+12.08 грн
4000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.17 грн
500+26.10 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+19.89 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.71 грн
21+39.22 грн
100+26.98 грн
500+19.89 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
10+42.00 грн
100+24.78 грн
500+19.40 грн
1000+17.60 грн
2500+14.77 грн
5000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.88 грн
100+27.33 грн
500+19.80 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3020LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3020LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3020LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.37 грн
100+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3020LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+35.15 грн
100+25.39 грн
500+20.86 грн
1000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 22890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+39.34 грн
100+29.41 грн
500+21.68 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.20 грн
10+39.85 грн
100+25.96 грн
500+20.37 грн
1000+16.22 грн
2000+13.74 грн
10000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.71 грн
10+44.85 грн
100+26.58 грн
500+22.23 грн
1000+19.47 грн
3000+16.43 грн
6000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+43.90 грн
100+28.77 грн
500+20.88 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
18+47.36 грн
100+31.09 грн
500+23.11 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+45.77 грн
100+30.02 грн
500+21.80 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+44.85 грн
100+28.99 грн
500+25.61 грн
1000+20.92 грн
2000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.09 грн
500+23.11 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 10A PWRDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.7W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SSS-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.92 грн
10+51.92 грн
100+30.72 грн
500+25.75 грн
1000+22.51 грн
2500+19.05 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SSS-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+48.91 грн
100+32.23 грн
500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13-01Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh FET 25mOhm -16.1A
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13-01Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-13DiodesMOSFET P-CH 30V 10.4A UDFN2020-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.98 грн
20000+9.06 грн
30000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 59440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.74 грн
100+18.40 грн
500+13.18 грн
1000+10.38 грн
2000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+31.84 грн
100+17.95 грн
500+13.67 грн
1000+10.22 грн
5000+9.87 грн
10000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 62258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.74 грн
100+19.83 грн
500+14.18 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+9.73 грн
9000+9.62 грн
15000+8.76 грн
21000+8.46 грн
30000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+32.87 грн
100+19.81 грн
500+15.12 грн
1000+12.84 грн
3000+11.53 грн
6000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.21 грн
27+30.61 грн
100+19.89 грн
500+14.06 грн
1000+9.87 грн
5000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+32.87 грн
100+19.12 грн
500+14.50 грн
1000+10.91 грн
5000+10.63 грн
10000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 97522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.74 грн
100+19.18 грн
500+13.64 грн
1000+10.57 грн
2000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.89 грн
500+14.06 грн
1000+9.87 грн
5000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.14 грн
20000+9.06 грн
30000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.28 грн
500+16.45 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.86 грн
100+20.51 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+32.87 грн
100+19.81 грн
500+15.12 грн
1000+12.84 грн
3000+11.53 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.75 грн
23+35.84 грн
100+23.28 грн
500+16.45 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
12+26.92 грн
100+17.25 грн
500+12.25 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3027LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.32 грн
24+34.71 грн
100+22.07 грн
500+15.03 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 52752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.59 грн
100+19.65 грн
500+14.02 грн
1000+12.60 грн
2000+11.40 грн
5000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.07 грн
500+15.03 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.29 грн
20000+9.19 грн
30000+8.82 грн
50000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+38.19 грн
100+20.99 грн
500+15.05 грн
1000+12.50 грн
2500+11.67 грн
5000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.85 грн
27+30.44 грн
100+19.89 грн
500+14.06 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
6000+10.52 грн
9000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.32 грн
10+32.55 грн
100+18.22 грн
500+13.88 грн
1000+12.50 грн
3000+10.63 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.89 грн
500+14.06 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 13599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.59 грн
100+19.65 грн
500+14.02 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LFDE-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 38  Наступна Сторінка >> ]