Продукція > ECH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8657-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8657-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8657-TL-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 78250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8657-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 7069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8659-M-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8659-M-TL-H - ECH8659-M-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-M-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-TL-HX | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET NCH+NCH 7A 30V 4V DR | на замовлення 4711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8659-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-S-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-S-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-S-TL-H | ONN | на замовлення 2730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | On Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH Part Status: Active Supplier Device Package: 8-ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | onsemi | MOSFETs SWITCHING DEVICE | на замовлення 25899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH FET Feature: Logic Level Gate Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Supplier Device Package: 8-ECH Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 10V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | onsemi | MOSFETs SWITCHING DEVICE | на замовлення 10339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8661-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Supplier Device Package: 8-ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8662-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8662-TL-H - ECH8662-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8662-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8663R-TL-H | onsemi | MOSFETs PCH+PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8663R-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8663R-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8663R-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH Supplier Device Package: 8-ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8664R-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8664R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8664R-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8664R-TL-H - ECH8664R-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8666-P-TL-H | SANYO | TSMT8 | на замовлення 1849 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 1476 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 118455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | onsemi | MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 3128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8667-TL-HX - ECH8667-TL-HX, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX-SA | Sanyo | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 | на замовлення 292518000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | onsemi | EMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding 38.2 x 33.3 x 5mm One-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 | на замовлення 292518000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8668-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8672-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8672-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8672-TL-H - ECH8672-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8674-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8674-TL-H - ECH8674-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8674-TL-H | Sanyo | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5A SOT28 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.3W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8675-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8675-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8675-TL-H - ECH8675-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690 | onsemi | onsemi PCH+NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | onsemi | MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 16968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 53206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8691-TL-W | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH ECH8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8691-TL-W | onsemi | MOSFETs PCH+PCH 1.5V DRIVE SERIES | на замовлення 8949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8691-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET PCH+PCH 1.5V DRIVE SERIES | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active | на замовлення 8526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin ECH T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | onsemi | MOSFETs N-CH Pwr MOSFET 24V 14A 7mOhm | на замовлення 19792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 Part Status: Active FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain | на замовлення 37443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | onsemi | MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | на замовлення 25898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | onsemi | MOSFETs NCH 25V COMMON-DRAIN | на замовлення 6585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin SOT-28FL T/R | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin SOT-28FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ONN | на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active | на замовлення 52931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin SOT-28FL T/R | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin SOT-28FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 5A, 4.5V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8901-TL-H | onsemi | Description: PCH+PNP 1.8V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8901-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8901-TL-H - PCH+PNP 1.8V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 735000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECHB0 | VENTION | Category: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. Description: Adapter; DVI-I (24+5) socket,both sides; 3D,Full HD 1080p Type of transition: adapter Cable/adapter structure: both sides; DVI-I (24+5) socket Support: 3D; Full HD 1080p Contact plating: gold-plated Connector colour: black | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECHB381R-10P | Dinkle Corporation, USA | Description: TERM BLK 10POS 3.81mm HDR Voltage - UL: 300 V Voltage - IEC: 320 V Current - UL: 8 A Part Status: Active Contact Mating Finish: Tin Header Orientation: 90°, Right Angle Positions Per Level: 5 Number of Levels: 2 Current - IEC: 14A Termination Style: Solder Operating Temperature: -40°C ~ 120°C Type: Header, Male Pins, Shrouded (4 Side) Pitch: 0.150" (3.81mm) Number of Positions: 10 Mounting Type: Through Hole Color: Green Packaging: Bulk | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECHB381R-14P | Dinkle Corporation, USA | Description: TERM BLK 14POS 3.81MM HDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECHB381RM-10P | Dinkle Corporation, USA | Description: TERM BLK 10POS 3.81mm HDR Voltage - IEC: 320 V Current - UL: 8 A Part Status: Active Contact Mating Finish: Tin Voltage - UL: 300 V Header Orientation: 90°, Right Angle Positions Per Level: 5 Number of Levels: 2 Current - IEC: 14A Termination Style: Solder Operating Temperature: -40°C ~ 120°C Type: Header, Male Pins, Shrouded (4 Side) Pitch: 0.150" (3.81mm) Number of Positions: 10 Mounting Type: Through Hole Color: Green Features: Board Guide, Flange Packaging: Bulk | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECHL2167 | L-com | Description: 1.75""X19"" PNL W/2 TDS2167 Packaging: Bag Color: Black Material: Steel Style: Enclosed, Bottom, Front, Sides, Top Type: Cabinet Rack Dimensions - Overall: 19.000" L x 4.500" W x 1.730" H (482.60mm x 114.30mm x 43.94mm) Door: Doorless Mounting Rails: No rails included Ventilation: Non-Vented Number of Units: 1U | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECHO10/X/X/S/S/7 | Siretta Ltd | Description: GSM 02DBI GAIN DUAL BAND PCB MOU Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

