Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDBL0210N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0210N80 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiMOSFETs Code D IMR
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.96 грн
10+332.64 грн
100+209.86 грн
500+198.82 грн
1000+185.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.85 грн
10+309.69 грн
100+224.80 грн
500+200.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+187.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+357.60 грн
100+260.14 грн
500+232.59 грн
1000+206.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.77 грн
10+298.47 грн
100+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.34 грн
10+357.60 грн
100+260.14 грн
500+232.59 грн
1000+206.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.70 грн
10+361.22 грн
100+254.05 грн
500+225.74 грн
1000+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+191.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.51 грн
10+346.93 грн
100+220.91 грн
500+211.24 грн
1000+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 200A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+295.58 грн
50+252.78 грн
100+213.32 грн
250+209.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
10+324.50 грн
100+236.19 грн
500+212.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.64 грн
5+451.83 грн
10+359.21 грн
50+296.90 грн
100+230.57 грн
250+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.54 грн
10+297.88 грн
100+215.51 грн
500+170.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ON SemiconductorFDBL0330N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 220A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiMOSFETs TO-leadless MV7 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0330N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+318.13 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ON SemiconductorFDBL0330N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 220A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemi / FairchildMOSFETs TO-leadless MV7 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.60 грн
10+323.75 грн
100+235.55 грн
500+211.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.40 грн
10+516.54 грн
25+491.86 грн
100+424.52 грн
250+376.87 грн
500+334.69 грн
1000+315.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.68 грн
10+329.47 грн
100+218.15 грн
500+209.17 грн
1000+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.20 грн
10+356.79 грн
100+289.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+572.40 грн
28+516.54 грн
29+491.86 грн
100+424.52 грн
250+376.87 грн
500+334.69 грн
1000+315.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+356.79 грн
100+289.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.11 грн
10+302.47 грн
100+198.82 грн
1000+196.06 грн
2000+168.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085onsemi / FairchildMOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.40 грн
10+378.69 грн
100+269.92 грн
500+256.12 грн
1000+244.38 грн
2000+227.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
10+400.04 грн
100+333.39 грн
500+276.07 грн
1000+248.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085onsemiMOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.63 грн
10+405.68 грн
2000+352.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.17 грн
50+317.10 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+257.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.97 грн
5+473.57 грн
10+384.17 грн
50+317.10 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+468.39 грн
100+387.80 грн
500+316.91 грн
1000+276.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063onsemiMOSFETs FET 100V 2.6MOHM H PSOF8L
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.58 грн
10+397.74 грн
100+254.05 грн
500+240.93 грн
1000+235.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085ON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085onsemiMOSFETs NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.56 грн
10+367.57 грн
100+245.76 грн
1000+244.38 грн
2000+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.18 грн
10+365.78 грн
100+268.21 грн
500+246.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063_F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085
Код товару: 203129
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.58 грн
500+127.89 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.31 грн
10+241.15 грн
25+230.20 грн
100+191.80 грн
250+167.98 грн
500+150.48 грн
1000+132.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.90 грн
10+202.89 грн
25+197.50 грн
100+173.23 грн
250+154.66 грн
500+141.59 грн
1000+136.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
10+207.31 грн
100+146.96 грн
500+119.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+207.79 грн
100+175.58 грн
500+127.89 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.22 грн
500+165.19 грн
1000+159.04 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085onsemiMOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+136.55 грн
100+116.67 грн
500+114.60 грн
1000+104.24 грн
2000+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
10+306.78 грн
100+222.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
на замовлення 8778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+274.69 грн
100+197.44 грн
1000+186.39 грн
2000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.91 грн
10+313.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+313.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.91 грн
10+313.30 грн
100+230.34 грн
500+211.65 грн
1000+193.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
10+307.15 грн
100+222.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+313.30 грн
100+230.34 грн
500+211.65 грн
1000+193.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.28 грн
10+277.86 грн
100+197.44 грн
1000+184.32 грн
2000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+247.47 грн
100+200.20 грн
500+167.01 грн
1000+143.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+222.29 грн
100+147.04 грн
1000+146.35 грн
2000+132.55 грн
4000+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.36 грн
10+214.24 грн
100+182.02 грн
500+143.59 грн
1000+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.67 грн
10+261.98 грн
100+163.61 грн
500+147.04 грн
1000+138.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.02 грн
500+143.59 грн
1000+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.98 грн
500+97.97 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 386000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085ONN
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+119.08 грн
100+96.65 грн
500+95.27 грн
1000+93.89 грн
2000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.76 грн
10+163.50 грн
100+115.98 грн
500+97.97 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.49 грн
10+201.65 грн
100+124.95 грн
500+106.31 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
10+179.41 грн
100+130.17 грн
500+101.05 грн
1000+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]