Продукція > FDB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDBF1006014(SL-20BG)
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBG035AL01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40onsemiMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.76 грн
10+445.88 грн
25+441.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+268.25 грн
50+211.22 грн
100+181.02 грн
500+165.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.23 грн
10+350.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40onsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 357W
Gate charge: 144nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40onsemiMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60onsemiMOSFETs 60 V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.27 грн
10+370.67 грн
50+295.08 грн
100+254.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60ON SemiconductorFDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60ON SemiconductorFDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0120N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+202.58 грн
100+144.00 грн
500+111.65 грн
1000+106.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0120N40ON SemiconductorFDBL0120N40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0120N40onsemiMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0120N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0120N40ON SemiconductorFDBL0120N40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60Fairchild SemiconductorDescription: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+361.02 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60onsemiMOSFETs Update code D
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.27 грн
10+432.49 грн
50+347.32 грн
100+303.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60onsemi / FairchildMOSFETs Update code D
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
1000+241.62 грн
10000+219.35 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 172nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+295.72 грн
50+233.83 грн
100+200.75 грн
500+187.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ONS/FAIMOSFET N-CH 80V 300A PowerDFN-8 (PSOF-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+169.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+680.77 грн
25+571.30 грн
100+458.25 грн
250+416.05 грн
500+352.29 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100onsemiMOSFETs 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.77 грн
10+579.79 грн
25+571.30 грн
100+458.25 грн
250+416.05 грн
500+352.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+198.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.87 грн
10+427.04 грн
25+413.46 грн
100+351.14 грн
250+322.52 грн
500+271.72 грн
1000+235.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiMOSFETs Code D IMR
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0210N80 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.97 грн
10+334.90 грн
50+266.15 грн
100+229.02 грн
500+219.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+207.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 8743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
10+367.20 грн
50+292.24 грн
100+251.62 грн
500+229.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.67 грн
10+337.77 грн
100+245.84 грн
500+220.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+199.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemi / FairchildMOSFETs TO-leadless MV7 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.80 грн
10+300.63 грн
100+217.50 грн
500+172.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ON SemiconductorFDBL0330N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 220A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiMOSFETs TO-leadless MV7 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0330N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80ON SemiconductorFDBL0330N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 220A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.45 грн
10+339.35 грн
50+269.84 грн
100+232.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.12 грн
10+515.39 грн
25+490.77 грн
100+423.58 грн
250+376.03 грн
500+333.95 грн
1000+314.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+571.12 грн
28+515.39 грн
29+490.77 грн
100+423.58 грн
250+376.03 грн
500+333.95 грн
1000+314.99 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.