Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
9+51.66 грн
10+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085PON SemiconductorMOSFET 40V,35A,9.0 OHM, NCH DPAK,PwrTRENCHmosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
на замовлення 29885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.53 грн
100+34.55 грн
500+25.19 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.76 грн
19+41.53 грн
25+41.11 грн
100+35.05 грн
250+31.76 грн
500+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LonsemiMOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 10113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.59 грн
233+60.96 грн
313+45.32 грн
500+35.51 грн
676+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L
Код товару: 100848
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1970/52
Монтаж: SMD
у наявності: 99 шт
  • 59 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.03 грн
5000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
7+60.89 грн
10+53.17 грн
50+38.07 грн
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.56 грн
500+26.79 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.53 грн
345+41.11 грн
390+36.35 грн
398+34.31 грн
526+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON-SemiconductorN-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.04 грн
13+60.54 грн
100+45.00 грн
500+35.27 грн
676+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
50+51.94 грн
100+40.56 грн
500+26.79 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V 50A N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.90 грн
10+77.20 грн
25+76.45 грн
50+73.02 грн
100+50.86 грн
250+47.64 грн
500+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
10+85.35 грн
100+61.21 грн
500+49.36 грн
1000+34.28 грн
5000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451ON-SemiconductorN-Channel 40V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) FDD8451 ON Semiconductor TFDD8451
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.37 грн
23+34.28 грн
25+31.31 грн
100+29.47 грн
250+26.76 грн
500+25.63 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.13 грн
10+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.50 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.35 грн
100+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
50+123.55 грн
100+82.91 грн
500+58.50 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.22 грн
10+88.08 грн
25+87.54 грн
50+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.52 грн
100+60.53 грн
500+45.16 грн
1000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+59.18 грн
100+45.23 грн
500+36.30 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.79 грн
5000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.23 грн
5000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.73 грн
5000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LDFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10LDON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V, 15.7A, 75mOhm N-Channel BoostPak
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8580
Код товару: 155620
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8580fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8586onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8586UMWDescription: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8586fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8586UMWDescription: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86081-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.5mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 36µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.4nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.38 грн
10+105.67 грн
100+77.95 грн
500+60.53 грн
1000+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.94 грн
170+83.54 грн
171+82.79 грн
200+74.01 грн
1000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.87 грн
5000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 11304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.68 грн
187+75.91 грн
202+70.13 грн
250+66.96 грн
500+61.30 грн
1000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.06 грн
500+100.85 грн
1000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.68 грн
25+75.91 грн
100+67.63 грн
250+62.00 грн
500+58.85 грн
1000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+103.93 грн
100+72.52 грн
500+56.90 грн
1000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 9746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+99.78 грн
100+67.79 грн
500+50.79 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.23 грн
500+88.41 грн
1000+81.52 грн
10000+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.34 грн
500+53.89 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.90 грн
250+74.65 грн
500+69.26 грн
1000+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.67 грн
25+62.71 грн
100+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.64 грн
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.14 грн
5000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 54W
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.34 грн
5+114.06 грн
10+100.64 грн
50+73.80 грн
75+68.77 грн
100+64.58 грн
250+55.35 грн
500+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
50+112.17 грн
100+75.68 грн
500+56.08 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.99 грн
12+67.86 грн
25+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZFairchildN-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.23 грн
500+88.41 грн
1000+81.52 грн
10000+70.09 грн
100000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]