Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50N04S4-10Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+55.33 грн
100+33.07 грн
500+26.92 грн
1000+23.06 грн
2500+18.85 грн
10000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
18+46.95 грн
100+34.55 грн
500+23.71 грн
1000+19.47 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.56 грн
265+53.67 грн
341+41.57 грн
500+34.08 грн
1000+28.44 грн
2500+21.73 грн
5000+21.13 грн
7500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.10 грн
100+40.25 грн
500+29.35 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+23.71 грн
1000+19.47 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
10000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.36 грн
368+38.56 грн
369+38.43 грн
500+33.11 грн
1000+29.47 грн
2500+28.09 грн
5000+26.33 грн
10000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+52.71 грн
100+33.07 грн
500+26.79 грн
1000+23.82 грн
2500+20.16 грн
5000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.79 грн
1045+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.55 грн
5000+26.83 грн
7500+25.93 грн
12500+24.02 грн
17500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.2nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.98 грн
15+54.04 грн
100+35.60 грн
500+23.63 грн
1000+19.74 грн
5000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.79 грн
1045+33.93 грн
10000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
5000+26.77 грн
7500+25.87 грн
12500+23.97 грн
17500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.87 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.68 грн
100+39.21 грн
500+28.56 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.83 грн
208+68.44 грн
213+66.76 грн
229+59.70 грн
308+41.19 грн
329+37.03 грн
500+31.65 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.2nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.60 грн
500+23.63 грн
1000+19.74 грн
5000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.79 грн
1045+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L-08Infineon
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+61.76 грн
100+35.41 грн
500+27.82 грн
1000+24.44 грн
2500+20.71 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.95 грн
500+25.80 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+63.27 грн
100+36.24 грн
500+28.37 грн
1000+24.51 грн
2500+21.47 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.23 грн
5000+23.32 грн
7500+22.34 грн
12500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
10000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.16 грн
5000+31.97 грн
10000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.63 грн
273+52.10 грн
312+45.56 грн
314+43.66 грн
500+37.59 грн
1000+33.86 грн
3000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.81 грн
50+52.75 грн
100+34.95 грн
500+25.80 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
5000+25.47 грн
7500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.10 грн
100+40.25 грн
500+29.35 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.78 грн
216+65.87 грн
315+45.00 грн
500+34.56 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.86 грн
15+52.63 грн
25+52.10 грн
100+43.93 грн
250+40.42 грн
500+36.09 грн
1000+33.86 грн
3000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.63 грн
100+22.35 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.00 грн
5000+61.02 грн
10000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.59 грн
500+44.42 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.06 грн
5000+56.24 грн
10000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.72 грн
10+95.84 грн
100+64.59 грн
500+44.42 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+113.53 грн
100+66.48 грн
500+53.43 грн
1000+48.53 грн
2500+41.08 грн
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+115.32 грн
100+78.39 грн
500+58.73 грн
1000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+116.59 грн
100+79.30 грн
500+59.44 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+103.21 грн
100+64.68 грн
500+52.26 грн
1000+46.81 грн
2500+41.49 грн
5000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.60 грн
500+52.87 грн
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.56 грн
50+68.62 грн
100+59.60 грн
500+52.87 грн
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-06Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-08Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4-09Infineon
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4-09(транзистор)
Код товару: 92577
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
50+71.36 грн
100+52.75 грн
500+38.66 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.18 грн
227+62.59 грн
230+61.89 грн
257+53.26 грн
269+47.21 грн
500+42.43 грн
1000+40.51 грн
3000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.56 грн
5000+38.16 грн
7500+36.72 грн
12500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.29 грн
12+64.18 грн
25+62.59 грн
50+59.68 грн
100+49.32 грн
250+45.32 грн
500+42.43 грн
1000+40.51 грн
3000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.75 грн
500+38.66 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+84.95 грн
100+48.25 грн
500+38.31 грн
1000+34.03 грн
2500+31.07 грн
5000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+93.63 грн
100+62.93 грн
500+46.73 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08Infineon
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.64 грн
122+116.20 грн
250+111.54 грн
500+103.67 грн
1000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1
Код товару: 172362
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+45.02 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.51 грн
180+78.81 грн
200+77.30 грн
500+57.04 грн
1000+51.89 грн
2000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.17 грн
5000+36.62 грн
7500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.32 грн
5000+36.77 грн
7500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.08 грн
100+63.26 грн
500+46.98 грн
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]