Продукція > IPS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPS7091STRLPBFInternational RectifierIC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK Інтелектуальні силові ключі (IPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRLPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70N10S3L-12Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 1TO251-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.20 грн
10+61.92 грн
100+41.28 грн
500+32.65 грн
1000+27.75 грн
1500+27.68 грн
4500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 219258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
992+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 992 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.26 грн
23+35.03 грн
100+27.14 грн
500+19.97 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
75+15.54 грн
150+14.97 грн
525+13.94 грн
1050+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.34 грн
32+25.85 грн
100+22.71 грн
500+17.95 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.84 грн
349+40.64 грн
375+37.80 грн
377+36.34 грн
500+28.38 грн
1000+25.72 грн
1500+25.62 грн
3000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+40.73 грн
100+31.41 грн
500+21.68 грн
1000+13.46 грн
1500+12.50 грн
4500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+56.60 грн
100+37.69 грн
500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.30 грн
549+25.86 грн
750+24.07 грн
1125+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEE8211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEE8211AKMA1Infineon TechnologiesDescription: IPS70R2K0CE - 700V COOLMOS N-CHA
Packaging: Bulk
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+95.10 грн
164+86.59 грн
202+70.40 грн
216+63.56 грн
500+58.64 грн
1000+50.02 грн
1500+48.60 грн
3000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.62 грн
16+51.14 грн
100+25.37 грн
500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 16180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+77.17 грн
100+46.87 грн
500+36.86 грн
1000+31.55 грн
1500+28.51 грн
4500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA2Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+54.38 грн
100+40.32 грн
1000+34.52 грн
1500+31.20 грн
4500+27.68 грн
10500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.64 грн
243+58.35 грн
284+49.96 грн
300+45.68 грн
500+39.56 грн
1000+35.75 грн
1500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
75+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.73 грн
19+42.52 грн
100+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.37 грн
14+54.72 грн
100+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SInfineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.92 грн
20+40.59 грн
100+26.42 грн
500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1
Код товару: 156248
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.08 грн
100+26.92 грн
500+21.19 грн
1000+18.57 грн
1500+16.36 грн
4500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70SB44
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS79SB30PHI4 SMD
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO45-A2PXecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2174.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S3PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5436.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S3PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6057.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S4PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Brass
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S4PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7Infineon TechnologiesDescription: IPS80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.43 грн
10+61.84 грн
100+43.77 грн
500+37.35 грн
1000+30.79 грн
1500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+95.27 грн
100+64.06 грн
500+35.97 грн
1000+30.38 грн
1500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
848+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.36 грн
10+154.02 грн
100+107.00 грн
500+74.56 грн
1000+66.48 грн
1500+56.19 грн
10500+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+107.18 грн
100+74.56 грн
500+65.24 грн
1500+55.37 грн
4500+49.29 грн
10500+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+53.75 грн
100+43.01 грн
500+40.87 грн
1000+37.49 грн
1500+35.35 грн
4500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 0.5A Octal high side driver
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.67 грн
10+487.45 грн
25+404.54 грн
100+351.38 грн
250+334.82 грн
500+305.82 грн
1000+266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+429.28 грн
25+409.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.30 грн
10+429.28 грн
25+409.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.15 грн
10+402.43 грн
100+321.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.53 грн
10+407.74 грн
100+321.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 1.0A Octal high side driver
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.67 грн
10+487.45 грн
25+404.54 грн
100+351.38 грн
250+334.82 грн
500+305.82 грн
1000+266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.57 грн
10+477.13 грн
25+385.21 грн
100+352.76 грн
250+336.89 грн
500+327.91 грн
1000+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+556.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.90 грн
10+516.03 грн
25+416.97 грн
100+382.45 грн
250+365.88 грн
500+355.53 грн
1000+340.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+701.50 грн
10+556.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slotsAxiomtekEmbedded Box Computers IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slots
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.49 грн
10+64.46 грн
100+42.94 грн
500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R1K2P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.02 грн
22+37.37 грн
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]