Продукція > IPS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPS7081STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Current - Output (Max): 2.3A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 55mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7081STRLPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT High Side Switch 70mOhm 5A 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7081STRRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 70mOhm 5A 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091Infineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091G
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091G
Код товару: 132632
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBFInternational Rectifier/InfineonДрайвер MOSFET, Uживл, В = 6...35, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 1,5 А, Dt = 20 мкс, К-сть вих. = 1, Конфіг = 1 драйвер верхнього плеча, Тексп, °С = -40...+150, Rds = 80 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBFInfineon TechnologiesGate Drivers 75V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 1.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBFINFINEONDescription: INFINEON - IPS7091GPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GTRPBFInternational RectifierSO-8 Інтелектуальні силові ключі (IPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GTRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091PBFInfineon TechnologiesDescription: IC PWR SWITCH HI SIDE TO220AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB (5-LEAD)
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091PBFIR
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091PBFInternational RectifierІнтелектуальні силові ключі (IPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091S
Код товару: 182815
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091SInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091SPBFInfineon / IRGate Drivers 75V 0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091SPBFInternational RectifierІнтелектуальні силові ключі (IPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091SPBFIR
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRLPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRLPBFInternational RectifierIC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK Інтелектуальні силові ключі (IPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 80mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091STRRPBFInfineon / IRPower Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 120mOhms 70V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70N10S3L-12Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 1TO251-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 219258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
992+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 992 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.70 грн
349+40.54 грн
375+37.72 грн
377+36.26 грн
500+28.31 грн
1000+25.66 грн
1500+25.56 грн
3000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
75+15.68 грн
150+15.11 грн
525+14.07 грн
1050+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.24 грн
549+25.81 грн
750+24.02 грн
1125+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEE8211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R2K0CEE8211AKMA1Infineon TechnologiesDescription: IPS70R2K0CE - 700V COOLMOS N-CHA
Packaging: Bulk
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 16170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.88 грн
164+86.40 грн
202+70.25 грн
216+63.42 грн
500+58.51 грн
1000+49.91 грн
1500+48.49 грн
3000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA2Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.48 грн
243+58.22 грн
284+49.85 грн
300+45.58 грн
500+39.47 грн
1000+35.67 грн
1500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
75+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.23 грн
14+54.59 грн
100+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1Infineon
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SInfineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1
Код товару: 156248
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70SB44
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS79SB30PHI4 SMD
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO45-A2PXecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2194.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S2PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1724.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S3PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5486.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S3PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6113.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S4PO45-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Brass
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8-S4PO60-A8XecroDescription: INDUCTIVE SENSOR METRIC 8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7Infineon TechnologiesDescription: IPS80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
848+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]