Продукція > PMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.44 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB43XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB45EPAXNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaMOSFETs PMPB47XP/SOT1220/DFN2020MD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB47XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaMOSFETs PMPB48EP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
50+18.91 грн
100+15.60 грн
500+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 1250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2924+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 2924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1352+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2924+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 2924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.88 грн
39+19.80 грн
100+19.05 грн
250+17.60 грн
500+16.87 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+19.80 грн
716+19.75 грн
718+19.72 грн
719+18.98 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.10 грн
50+25.62 грн
100+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 30V 4.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB50ENEA,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEA,115NexperiaPMPB50ENEA,115
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2715+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEA115Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEAXNexperiaMOSFET MOSFET SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2728+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+10.82 грн
128+5.89 грн
131+5.80 грн
133+5.51 грн
135+5.03 грн
137+4.74 грн
250+4.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3162+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEXNexperiaMOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.38 грн
100+26.27 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNXNexperiaMOSFETs 110 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB50XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 110 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 110V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEA/S500,XNXP SemiconductorsPMPB55ENEA/S500,X
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2825+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 2825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.48 грн
1000+12.28 грн
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.50 грн
9000+11.71 грн
24000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2831+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 2831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.70 грн
50+26.07 грн
100+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
9000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 1133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaMOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
9000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 3.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+25.29 грн
100+18.88 грн
500+13.48 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEA/F,115Nexperia USA Inc.Description: PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB85ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.072 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEA/FXNexperiaMOSFET PMPB85ENEA/F/SOT1220/REEL 7" Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+12.95 грн
1000+11.15 грн
3000+10.60 грн
6000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
9000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1093+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB85ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.34 грн
50+19.17 грн
100+15.80 грн
500+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB8XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
12+25.21 грн
100+17.50 грн
500+12.82 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB8XNXNexperiaMOSFET PMPB8XN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB8XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/F,115Nexperia USA Inc.Description: PMPB95 - 80V, SINGLE N-CHANNEL T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
на замовлення 5115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2522+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2689+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 2689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNexperiaMOSFETs PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 43130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2689+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 2689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/S500XNexperia USA Inc.Description: PMPB95ENEAX - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.