Продукція > PMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMPB48EP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 P-CH 30V 4.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB48EPAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB50ENEA,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEA,115 | Nexperia | PMPB50ENEA,115 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEA115 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FET | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2404 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEAX | Nexperia | MOSFET MOSFET SOT1220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 5828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET DFN2020MD-6 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 5828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia | MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50ENEX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50XNX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50XNX | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB50XNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB50XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 110 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 110V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB50XNX | Nexperia | MOSFETs 110 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEA | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEA/S500,X | NXP Semiconductors | PMPB55ENEA/S500,X | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | MOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220 | на замовлення 6381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 3.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEA/F,115 | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2965 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEA/FX | Nexperia | MOSFET PMPB85ENEA/F/SOT1220/REEL 7" Q | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEA/FX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB85ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.072 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEA/FX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 21397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A | на замовлення 4313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB85ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB8XNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB8XNX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB8XNX | Nexperia | MOSFET PMPB8XN/SOT1220/SOT1220 | на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB8XNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB8XNX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/F,115 | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB95 - 80V, SINGLE N-CHANNEL T | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | Nexperia | MOSFETs PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V | на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 43130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/FX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEA/S500X | Nexperia USA Inc. | Description: PMPB95ENEAX - N-Channel MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia | MOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET | на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPF-1P | Laird Connectivity | Coaxial Cables FEED,Wire Grid | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPF-1P | Laird Connectivity Inc. | Description: FEED,WIRE GRID | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPF-1PF | Laird Connectivity Inc. | Description: FEED,WIRE GRID | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPF-1PF | Laird Connectivity | Coaxial Cables FEED,Wire Grid | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPLA | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories PM Padlock Adapter Hardware | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMPQ | на замовлення 241 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMPUMP700.3 | SIKA USA Inc. | Description: PRESSURE PUMP SET 0...700 BAR | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

