Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.48 грн
10+70.50 грн
100+47.11 грн
500+34.78 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFON SemiconductorN-канальный ПТ (Vds=60V, Id=43A@T=25C, 15.8 mOhm @ 25A, 10V, P=71W, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) -55 to 175C),... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF
Код товару: 164837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 12,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/22
Монтаж: SMD
у наявності: 401 шт
  • 346 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+43.00 грн
10+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.09 грн
4000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.09 грн
4000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.42 грн
50+85.54 грн
250+56.86 грн
1000+37.90 грн
3000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.19 грн
7+65.73 грн
10+58.84 грн
50+46.48 грн
100+42.03 грн
250+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.38 грн
10+75.97 грн
100+43.99 грн
500+34.63 грн
1000+31.63 грн
2000+28.70 грн
4000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.31 грн
4000+28.82 грн
6000+27.66 грн
10000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.09 грн
4000+51.04 грн
6000+48.98 грн
10000+45.00 грн
14000+40.44 грн
20000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.54 грн
250+56.86 грн
1000+37.90 грн
3000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910 HXY MOSFET TIRFR3910 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2450+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.56 грн
25+59.54 грн
100+44.04 грн
500+33.99 грн
1000+30.29 грн
2500+27.94 грн
5000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR3910PBF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910PBFInternational RectifierN-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910PBF
Код товару: 32400
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
Монтаж: SMD
у наявності: 158 шт
  • 91 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR UMW TIRFR3910 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JSMICRO TIRFR3910 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 125mOhm; 12A; 34,7W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JGSEMI TIRFR3910 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+92.61 грн
2001+88.83 грн
4001+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.88 грн
250+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 364238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 283196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.05 грн
555+63.96 грн
1000+58.97 грн
10000+50.70 грн
100000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.05 грн
555+63.96 грн
1000+58.97 грн
10000+50.70 грн
100000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 33652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.76 грн
10+55.65 грн
100+40.64 грн
500+36.87 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInternational RectifierN-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.05 грн
555+63.96 грн
1000+58.97 грн
10000+50.70 грн
100000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.99 грн
4000+33.93 грн
6000+33.59 грн
10000+32.09 грн
14000+28.84 грн
20000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 16180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.20 грн
10+76.69 грн
100+44.34 грн
500+34.91 грн
1000+31.84 грн
2000+28.07 грн
4000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInternational RectifierN-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.14 грн
500+38.43 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.03 грн
10+100.43 грн
25+99.07 грн
100+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+70.96 грн
100+47.43 грн
500+35.02 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.43 грн
144+99.07 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.13 грн
8+59.84 грн
10+53.12 грн
50+37.82 грн
100+32.86 грн
250+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.22 грн
162+87.97 грн
226+62.81 грн
500+50.23 грн
1000+42.21 грн
2000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.70 грн
50+73.16 грн
100+52.14 грн
500+38.43 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.54 грн
4000+29.04 грн
6000+27.87 грн
10000+24.92 грн
14000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.91 грн
4000+33.87 грн
6000+33.53 грн
10000+32.02 грн
14000+28.78 грн
20000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3911IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3911PBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3911TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3911TRPBFON09+ SOP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4015
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104PBFIR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104PBF
Код товару: 99505
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: SMD
у наявності: 50 шт
  • 35 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+56.00 грн
10+50.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRInternational RectifierN-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+114.80 грн
500+103.32 грн
1000+95.28 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.72 грн
10+105.20 грн
100+72.62 грн
250+67.52 грн
500+61.45 грн
1000+52.65 грн
3000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.72 грн
10+81.10 грн
100+47.20 грн
500+37.36 грн
1000+34.36 грн
2000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.34 грн
10+68.92 грн
25+58.84 грн
100+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.62 грн
4000+44.04 грн
6000+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.63 грн
4000+44.05 грн
6000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.51 грн
500+42.29 грн
1000+35.82 грн
5000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.92 грн
160+88.92 грн
200+80.99 грн
500+68.62 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+74.59 грн
100+50.15 грн
500+37.23 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.22 грн
4000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.76 грн
14+57.05 грн
25+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.01 грн
11+77.80 грн
100+57.51 грн
500+42.29 грн
1000+35.82 грн
5000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105International RectifierN-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBFInfineonMOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBFInternational RectifierMOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 27 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105PBF
Код товару: 2752
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/34
Монтаж: SMD
у наявності: 51 шт
  • 8 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]