Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3910PBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 125mOhm; 12A; 34,7W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JGSEMI TIRFR3910 JGS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR UMW TIRFR3910 UMW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JSMICRO TIRFR3910 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 876 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 135842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 364238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC | на замовлення 27633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 283196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 1375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC | на замовлення 16159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3910TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3911 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3911PBF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3911TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3911TRPBF | ON | 09+ SOP | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4015 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR4104PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104PBF Код товару: 99505
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-252/D-Pak Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 42 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2950/59 Монтаж: SMD | у наявності: 50 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFR4104PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104PBF | IR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR4104TR | International Rectifier | N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TR-VB | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | на замовлення 4793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 140W Technology: HEXFET® | на замовлення 997 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | на замовлення 4793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRR | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105 | International Rectifier | N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 27 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | Infineon | MOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF Код товару: 2752
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-252/D-Pak Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 27 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 700/34 Монтаж: SMD | у наявності: 51 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TR | Infineon | N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 598 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC | на замовлення 1622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR4105ZPBF - IRFR4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF Код товару: 177671
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 21 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 24,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/18 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105ZTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |