Продукція > BSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC085N025S G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC085N025SG | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSC088N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 4268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC088N15LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC088N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC088N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC088N15LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NS Код товару: 181839
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC0901NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 8599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 25266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 7805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0901NSIXT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 | на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 17985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 4411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 17985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 17278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 91A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 7924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 24617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | на замовлення 24617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 3628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 89A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 4428 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 4864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 24263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 4470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSI | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0906NS | Infineon Technologies | Description: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 807 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NS E8189 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | на замовлення 6835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 2273 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | на замовлення 6835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V | на замовлення 23542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0906NSE8189ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0908NS | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0908NS | Infineon Technologies | BSC0908NS | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0908NS | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0908NS - BSC0908 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0908NS | Infineon Technologies | BSC0908NS | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|