Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0902NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.41 грн
10000+30.72 грн
15000+30.40 грн
25000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.50 грн
187+75.85 грн
269+52.70 грн
500+40.78 грн
1000+32.50 грн
2500+29.14 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.25 грн
100+36.52 грн
500+26.75 грн
1000+24.32 грн
2000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.85 грн
26+31.94 грн
100+26.50 грн
500+22.19 грн
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.25 грн
10000+30.58 грн
15000+30.26 грн
25000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.55 грн
10000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.84 грн
25+31.19 грн
50+30.06 грн
100+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.46 грн
500+25.66 грн
1000+20.07 грн
5000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.57 грн
10000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+46.46 грн
11+41.60 грн
50+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.43 грн
10000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.41 грн
20+42.27 грн
100+32.11 грн
500+25.29 грн
1000+21.32 грн
5000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.76 грн
100+32.09 грн
500+23.39 грн
1000+21.23 грн
2000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.01 грн
250+39.34 грн
1000+23.47 грн
3000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1288+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 1288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
100+30.73 грн
500+22.36 грн
1000+20.28 грн
2000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
50+59.01 грн
250+39.34 грн
1000+23.47 грн
3000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1288+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 1288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
591+23.95 грн
600+23.57 грн
2000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSInfineon TechnologiesDescription: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NS E8189Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.59 грн
500+15.50 грн
1000+13.96 грн
2000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.44 грн
250+24.71 грн
1000+15.17 грн
3000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
12+35.06 грн
25+27.00 грн
50+24.24 грн
100+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1709+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 1709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.99 грн
50+35.44 грн
250+24.71 грн
1000+15.17 грн
3000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSE8189ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0908NS - BSC0908 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSInfineon TechnologiesBSC0908NS
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1105+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 1105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSInfineon TechnologiesBSC0908NS
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1105+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 1105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSInfineonN-MOSFET 34V 44A 9.2mΩ BSC0909NSATMA1 Infineon TBSC0909ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.54 грн
18+46.49 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.21 грн
456+31.02 грн
542+26.12 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.80 грн
11+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090BNSRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSINF09+
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.38 грн
100+31.51 грн
500+22.75 грн
1000+20.55 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+16.03 грн
888+15.94 грн
1000+15.75 грн
2000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+18.86 грн
754+18.76 грн
1000+18.67 грн
2000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.83 грн
36+21.16 грн
100+18.15 грн
250+16.64 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.15 грн
31+26.82 грн
100+21.54 грн
500+16.83 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+21.16 грн
752+18.82 грн
760+18.63 грн
811+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]