Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125CP | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125CP Код товару: 62498
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon | N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125P6 | Infineon | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R125P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P6 | Infineon technologies | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ P6 | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P7 | Infineon Technologies | IPP60R160P7 | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CP | Infineon technologies | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R165CP Код товару: 86977
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R165CP | Infineon Technologies | Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R165CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R170CFD7 | Infineon | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R170CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R180C7 | Infineon Technologies | Description: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 Код товару: 168211
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. |

