Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR9020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9022
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR2024TR IRFR9024 IRFR9024TRL IRFR9024TRR IRFR9024 TIRFR9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 15A; 36W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N JSMICRO TIRFR9024n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N HXY MOSFET TIRFR9024n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024N
Код товару: 3622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 9,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+8.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NIRTO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NCTRPBFIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR9024NPBF - IRFR9024 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+27.25 грн
150+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NPBF(транзистор)
Код товару: 45697
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRInfineonTranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024N; IRFR9026NTR; IRFR9024NTR; IRFR9024N-GURT; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTRR; IRFR9024N; IRFR9024NTR TIRFR9024n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR UMW TIRFR9024n UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRInfineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 180mOhm; 8A; 15,6W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR JGSEMI TIRFR9024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 53mOhm; 25A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR-CN CHIPNOBO TIRFR9024n CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTR-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR-ML MOSLEADER TIRFR9024n MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLIRC07+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.94 грн
6000+31.50 грн
9000+31.18 грн
15000+29.40 грн
21000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.03 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.92 грн
6000+31.47 грн
9000+31.15 грн
15000+29.38 грн
21000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 10726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.05 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.30 грн
6000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF
Код товару: 222224
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.40 грн
50+46.53 грн
100+38.84 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.30 грн
6000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.31 грн
13+62.41 грн
100+52.67 грн
500+40.52 грн
1000+34.05 грн
2000+30.09 грн
4000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 56801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.40 грн
50+46.53 грн
100+38.84 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 15893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFMOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
14+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.50 грн
228+61.91 грн
271+52.24 грн
500+40.20 грн
1000+33.77 грн
2000+29.85 грн
4000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
6 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 786 шт
  • 678 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
10+59.93 грн
100+39.11 грн
200+34.88 грн
500+30.39 грн
1000+27.60 грн
2000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.69 грн
4000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.02 грн
6000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.12 грн
4000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.22 грн
4000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.12 грн
4000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF/IRIR08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.66 грн
192+73.76 грн
525+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.96 грн
75+88.14 грн
150+74.73 грн
525+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 6 Од. вим:
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.33 грн
7+66.03 грн
10+59.51 грн
25+52.40 грн
50+47.57 грн
75+44.87 грн
150+40.46 грн
525+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.96 грн
50+93.83 грн
100+79.23 грн
500+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 8487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9024TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.96 грн
50+93.83 грн
100+79.23 грн
500+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFIR0625
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.56 грн
25+44.81 грн
100+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.96 грн
50+93.83 грн
100+79.23 грн
500+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.96 грн
50+93.83 грн
100+79.23 грн
500+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]