Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR9024TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110HARRISIRFR9110
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91109AHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91109AHARRISIRFR91109A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.13 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.23 грн
330+42.87 грн
337+41.99 грн
525+39.77 грн
1050+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.76 грн
75+42.42 грн
150+41.55 грн
525+39.35 грн
1050+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+90.25 грн
10+52.65 грн
75+45.03 грн
150+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
75+62.29 грн
150+56.05 грн
525+44.25 грн
1050+40.64 грн
2025+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR9110TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFFairchild SemiconductorDescription: 100V P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TF
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFFAIRCHILDIRFR9110TF
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TM
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9110TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLIRSOT25
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFIR07+ CAN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
10+84.26 грн
100+65.09 грн
500+50.50 грн
1000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.37 грн
353+39.98 грн
367+38.48 грн
500+36.65 грн
1000+32.42 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+64.22 грн
100+49.96 грн
500+39.68 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs P-CHANNEL 100-V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120HARRISIRFR9120
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+135.24 грн
500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120HARRISIRFR9120
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91209AR3603Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91209AR3603HARRISIRFR91209AR3603
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120N
Код товару: 57603
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 480 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/27
Монтаж: SMD
у наявності: 201 шт
  • 150 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NIRTO-252
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 235mOhm; 8A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N UMW TIRFR9120n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.39 грн
10+66.21 грн
100+44.04 грн
500+32.40 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRJSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120NTR JSMICRO TIRFR9120n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.74 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.74 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 21236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.54 грн
10+79.84 грн
50+59.91 грн
100+50.16 грн
500+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.74 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.56 грн
6000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineonIRFR9120NTRPBF P-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.52 грн
191+74.03 грн
244+57.93 грн
270+50.50 грн
500+36.28 грн
2000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.19 грн
6000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.61 грн
6000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.60 грн
11+74.09 грн
50+57.98 грн
100+50.54 грн
500+36.30 грн
2000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.04 грн
10+83.53 грн
25+62.67 грн
100+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 16602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+51.50 грн
50+38.15 грн
100+31.75 грн
500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.73 грн
6000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.66 грн
10+67.13 грн
100+42.58 грн
200+37.84 грн
500+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 28575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.44 грн
75+86.72 грн
150+73.43 грн
525+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]