Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM007NM03LCR RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 120A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM01053 | QFP80 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TSM011NM03LCR RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4378 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM011NM03LCR RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 120A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM011NM03LCR RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4378 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM013NM04LTL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM013NM04LTL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM013NM04LTL RAG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN | на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 185A, Single N- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN | на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM018NM08TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12182 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM018NM08TL RAG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 80V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM018NM08TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12182 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6029 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6029 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04LCR | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V | на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM020N04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM020N04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM020NM10TL RAG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM020NM10TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11246 pF @ 50 V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM020NM10TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11246 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM024NA04LCR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 170A, 2.4mOhm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 161Amp 2.5mOhm N Chan Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 113nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM025NB04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 161A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04LCR | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 40V, 161A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 20 V | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4179 pF @ 25 V | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4179 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM026NA03CR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 168A, 2.6mOhm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V 168A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM028N04PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 140Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2896 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2896 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM032NH04LCR | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 81A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM032NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 81A 8-Pin PDFN-U EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V | на замовлення 4220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA03CR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 129A, 3.3mOhm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V 129A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA04LCR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 141A, 3.3mOhm | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 141A, 3.3mOhm | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5022 pF @ 20 V | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5022 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 40V, 121A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 40V 21A 8-Pin PDFN EP T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A Power dissipation: 36W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4456 pF @ 20 V | на замовлення 4354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 40V 21A 8-Pin PDFN EP T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4456 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM035NB04CZ | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 20 V | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM035NB04CZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 157A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM035NB04CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM035NB04LCZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM035NB04LCZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 157A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM035NB04LCZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 20 V | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM036N03PQ56 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM036N03PQ56 | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 95A, 3.6mOhm | на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |