Продукція > BFU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 9791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R Код товару: 99606
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU530 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 40 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-143B Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 21.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143B Dauer-Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 9790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530W,115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530W115 | NXP Semiconductors | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530W115 | NXP | Description: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 18.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | на замовлення 24836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530XR | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 16.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-143R Supplier Device Package: SOT-143R Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V | на замовлення 6815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Supplier Device Package: SOT-143R Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 16.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-143R Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU530XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550215 | NXP | Description: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550235 | NXP | Description: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550A215 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550A235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 9563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 5129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 18979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R Код товару: 182070
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 5129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 717543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 5603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP | Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

