Продукція > FDG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDG361NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 98270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+8.97 грн
9000+8.33 грн
30000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.49 грн
13+26.36 грн
100+15.95 грн
500+12.36 грн
1000+10.15 грн
3000+8.08 грн
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
13+24.01 грн
100+16.66 грн
500+12.20 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.32 грн
50+33.02 грн
100+21.18 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N 01.ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6301N TFDG6301N
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
на замовлення 251908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-6
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-NLFSC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N/01FAIR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.69 грн
20+37.80 грн
25+36.40 грн
100+21.82 грн
250+20.01 грн
500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302P
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PNLFAIRCHILD
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303/03FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
6000+8.06 грн
9000+7.25 грн
30000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
10+35.20 грн
12+27.79 грн
100+15.39 грн
1000+9.25 грн
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
13+24.16 грн
100+14.51 грн
500+12.61 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON-SemiconductorMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_NLFSC07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.21 грн
10+37.47 грн
100+21.33 грн
500+16.43 грн
1000+14.77 грн
3000+11.94 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.33 грн
50+26.50 грн
100+21.67 грн
500+16.53 грн
1500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.85 грн
12+35.07 грн
100+23.27 грн
250+19.94 грн
500+17.95 грн
1000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.67 грн
500+16.53 грн
1500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
10+32.68 грн
100+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P(PBF)Fairchild
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P/.04FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.71 грн
22+34.78 грн
25+34.37 грн
50+32.12 грн
100+24.50 грн
250+23.26 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+22.88 грн
3000+11.94 грн
9000+11.18 грн
24000+11.11 грн
45000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
20+40.99 грн
100+32.86 грн
500+22.88 грн
3000+11.94 грн
9000+11.18 грн
24000+11.11 грн
45000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
9+38.98 грн
10+36.92 грн
3000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P_NL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFSCSOT
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
14+23.50 грн
100+15.60 грн
500+12.29 грн
1000+9.94 грн
3000+7.80 грн
9000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P/16FAIRCHIL09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.27 грн
28+29.24 грн
100+16.27 грн
500+10.54 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
13+25.09 грн
100+13.60 грн
500+9.39 грн
1000+7.59 грн
3000+6.42 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
14+21.91 грн
100+11.05 грн
500+9.19 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.87 грн
29+26.38 грн
50+25.19 грн
100+15.36 грн
250+14.65 грн
500+10.75 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFAIRCHILD05+
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]