Продукція > FDG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
6000+9.05 грн
9000+8.40 грн
30000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+24.23 грн
100+16.81 грн
500+12.31 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6301N TFDG6301N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
на замовлення 251908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-6
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-NLFSC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N/01FAIR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.58 грн
20+37.72 грн
25+36.32 грн
100+21.77 грн
250+19.96 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PNLFAIRCHILD
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303/03FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
6000+8.13 грн
9000+7.32 грн
30000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
Gate charge: 2.3nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
25+17.36 грн
50+15.68 грн
100+14.17 грн
500+11.57 грн
1000+10.32 грн
1500+9.39 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON-SemiconductorMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+24.38 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_NLFSC07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+32.98 грн
100+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
12+35.39 грн
100+23.48 грн
250+20.13 грн
500+18.11 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P(PBF)Fairchild
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P/.04FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.62 грн
22+34.70 грн
25+34.29 грн
50+32.05 грн
100+24.45 грн
250+23.20 грн
500+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P_NL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P/16FAIRCHIL09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+22.12 грн
100+11.16 грн
500+9.28 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.78 грн
29+26.33 грн
50+25.13 грн
100+15.32 грн
250+14.62 грн
500+10.72 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318P/.38FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 79730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZ-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.