Продукція > FQD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQD13N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 140MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 115MOHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTFFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.77 грн
500+18.64 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+30.50 грн
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 13391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+48.35 грн
100+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.96 грн
12+34.73 грн
25+29.50 грн
100+23.68 грн
250+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.06 грн
21+40.19 грн
100+29.80 грн
500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.40 грн
22+35.37 грн
32+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET
на замовлення 22496 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
6+56.38 грн
2500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10onsemi / FairchildMOSFETs QF 100V 180MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 100V 180MOHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTFFAIRCHILD
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.69 грн
5000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.78 грн
5000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.80 грн
8+52.35 грн
10+45.37 грн
50+31.58 грн
100+27.26 грн
500+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.93 грн
100+33.56 грн
500+24.50 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+53.02 грн
375+37.87 грн
379+37.49 грн
500+29.63 грн
1000+25.30 грн
3000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.04 грн
5000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMonsemiMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 224799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+52.71 грн
100+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.06 грн
266+53.39 грн
500+52.83 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.27 грн
15+53.51 грн
25+53.02 грн
100+36.55 грн
250+33.51 грн
500+26.34 грн
1000+24.32 грн
3000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.42 грн
500+25.35 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.12 грн
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.98 грн
50+54.53 грн
100+35.92 грн
500+25.88 грн
1000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.95 грн
100+29.50 грн
500+21.43 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM_NBEL001onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.22 грн
100+35.83 грн
500+26.23 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMonsemiMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+55.41 грн
100+35.28 грн
500+27.48 грн
1000+23.95 грн
2500+20.78 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD14N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N15TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25Consemi / FairchildMOSFET QFC 250V 270MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTFFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMonsemiMOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 9019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+75.82 грн
100+46.67 грн
500+38.38 грн
1000+35.14 грн
2500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.89 грн
11+79.65 грн
100+51.55 грн
500+39.94 грн
1000+34.24 грн
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 0.27Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.1A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 107974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.40 грн
100+51.99 грн
500+38.56 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMonsemi / FairchildMOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 16719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+64.78 грн
100+43.63 грн
500+34.52 грн
1000+31.55 грн
2500+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.79 грн
5000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16NE06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTF
на замовлення 19914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TFONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+68.73 грн
100+45.85 грн
500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 9233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
50+71.36 грн
100+47.28 грн
500+34.48 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TMonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+66.45 грн
100+39.69 грн
500+31.20 грн
1000+28.44 грн
2500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TMONS/FAIP-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM
Код товару: 144540
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]