Продукція > GD1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD150FFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
Verlustleistung: 442W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 181A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
Verlustleistung: 437W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 180A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 230A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Код товару: 204060
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: L3.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-212DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 10.5 ~ 19.5VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20911.39 грн
10+16888.76 грн
100+14550.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-224DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 21 ~ 39VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20911.39 грн
10+16888.76 грн
100+14550.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150NU-248DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 42 ~ 78VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 150 VA
Power - Output Surge: 210 VA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20911.39 грн
10+16888.76 грн
100+14550.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD150P1200module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150R1200CDH4-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD150UR
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530331ZA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors MICRO-W SLC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530331ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 330 pF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+284.76 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530471MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1530471ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 63A
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+727.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.84 грн
10+645.87 грн
25+620.13 грн
100+546.96 грн
250+524.63 грн
500+508.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 95W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 112W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2844.96 грн
3+2332.28 грн
10+2098.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 141 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 141W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 142 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2625.49 грн
3+2158.68 грн
12+1939.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD15V_5A-15V_5AVicorModular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15V_6A7A-000001VicorModular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.6kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD16043A-40ABGIGA01+
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16054AGIGA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16054A-40ABGIGA01+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16065INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16066GIGA01+ TO3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16131-GLPGIGA02+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16132-GLPGIGA01+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16192PLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16192-A01INTELPLCC28
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16333GIGAQFP-100
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16334GIGAQFP-100
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16361AGIGAO1
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16361A-28BAGIGA01+ SSOP28
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16362A-28BAGIGA0027+ SSOP28
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16367BGIGA
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16368BGIGA
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16519GIGAQFP-100
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16523-100BAGIGAQFP 0607+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16524-100BAGIGA0601+ QFP
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16544-68AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16553GIGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556GIGA
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556/ECLGIGAQFP-100
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16556A100BAECL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16557GIGA
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16561GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16571
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16573
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16575AQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584-132EAGIGA01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584-EBG1AMCCBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16584132EAGIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16585GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16588-FBBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16589GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16590GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16590-48BAGIGA08+ BGA
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591AQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16591A-48BAGIGA0321+ QFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16592A
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD16952A08+ BGA
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD18-S/115Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 472.441" (0m ~ 12m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18-S/159Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 472.441" (0m ~ 12m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Dark-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18/115Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 787.402" (0m ~ 20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: PNP - Dark-ON/Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18/159Pepperl+Fuchs, Inc.Description: PHOTOELECTRIC (AUTOMATION)
Packaging: Box
Adjustment Type: Fixed
Sensing Distance: 0" ~ 787.402" (0m ~ 20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN - Dark-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (640nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1826BurndyCable Accessories Grounding Connector Copper Alloy
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V5V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V5V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00002VicorModular Power Supplies GD18V5.4A18V5.4A p
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD18V_5A4A-00002Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.