Продукція > IKQ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ50N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 150A, TO247-3-46 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 Код товару: 162552
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 150A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 938W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 149 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 56ns/470ns Switching Energy: 5.28mJ (on), 1.76mJ (off) Gate Charge: 518 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 549 W | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 82A; 549W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 549W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 549W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS6 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 75A TO247-3-46 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 440 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 530 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 880 W | на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 440W Case: PG-TO247-3-46 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 530nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 880W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 38ns/190ns Switching Energy: 5.13mJ (on), 3.48mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 2.1Ohm, 15V Gate Charge: 450 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 154 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 630 W | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 154A; 630W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 154A Power dissipation: 630W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 630W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2 | Infineon Technologies | Description: IKQ75N120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 237W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQ75N120CT2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB120N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 150A TO247-3-51 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-51 Td (on/off) @ 25°C: 57ns/285ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 450V, 120A, 4.8Ohm, 15V Gate Charge: 481 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 577 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQB120N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 750 V, 120 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB120N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 577W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB160N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB160N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 200A TO247-3-51 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 160A Supplier Device Package: PG-TO247-3-51 Td (on/off) @ 25°C: 72ns/324ns Switching Energy: 9.7mJ (on), 5.2mJ (off) Test Condition: 450V, 160A, 4.8Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 750 W | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQB160N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 750 V, 160 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 200A TO247-3-51 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 200A Supplier Device Package: PG-TO247-3-51 Td (on/off) @ 25°C: 95ns/407ns Switching Energy: 14.4mJ (on), 6.9mJ (off) Test Condition: 450V, 200A, 4.8Ohm, 15V Gate Charge: 797 nC Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 937 W | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKQB200N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 937W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

