Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CSFD | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CSFD | Infineon | на замовлення 112282 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 245W Case: TO247-3 On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CSFD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7 | Infineon | на замовлення 4920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R037P7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 Код товару: 173232
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7 | Infineon | Транзистор, N-MOSFET, полевой, 600В, 48А, 255Вт, PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040C7 | Infineon | на замовлення 40810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6 | Infineon | MFET, N-CH, 600 V, 77.5 A, 0.041 Om, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041C6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041C6 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V | на замовлення 8824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon technologies | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

