Продукція > NDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDD01N60-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD01N60T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD01N60T4GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N40-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N40T4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N40T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N40T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
на замовлення 369185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 326825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
100000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD02N60Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1275+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 13350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD02N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.2A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GOn SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 52779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 400V 2.4A 3.4OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N40Z-1G - NDD03N40Z-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N40ZT4G - NDD03N40ZT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40ZT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 2.4A 3.4OHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N50Z-1G - NDD03N50Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1275+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 1275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
на замовлення 20236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,2.6A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N60Z-1G - NDD03N60Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60ZG
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60ZT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.6A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N80Z-1G - NDD03N80Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 108204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 4.5OH
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80ZT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ohm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80ZT4GOn SemiconductorMOSFET, N-CH, 800V, 2.9A, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50Z-1GON SemiconductorMOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD04N50Z-1G - NDD04N50Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GONN
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
на замовлення 153061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD04N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,3A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GON SemiconductorMOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N60Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N60ZT4GOn SemiconductorN-Ch 600V 4.1A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD04N60ZT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 600V 4A 1.8R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 665325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD05N50Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.7 A, 1.25 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 236925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50Z-1G9onsemiDescription: RF MOSFET 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50Z-1G9ONSEMIDescription: ONSEMI - NDD05N50Z-1G9 - NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50ZT4GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 500V 5A 1.2OHM
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD05N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD36PT6-2AITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD36PT6-2AITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD36PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD36PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD5060
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD506AFAIRCHILTO-263
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD506AL
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD56PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: SSTL_2
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
10+248.40 грн
25+241.08 грн
50+221.04 грн
100+215.84 грн
250+208.98 грн
500+200.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD56PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: SSTL_2
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GonsemiMOSFETs NFET DPAK 600V 114A 360MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N360U1-1G - NDD60N360U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 37650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
1000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
1000+134.36 грн
10000+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 32775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N360U1-35G - NDD60N360U1-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1T4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 114A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]