Продукція > RF9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF9957TR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9957TR139733+
на замовлення 62478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958RFMD09+ SSOP28
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958RFMDRFMD
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958TR13RF98
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9986RFMD
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9986TR13
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.97 грн
259+54.69 грн
500+52.71 грн
1000+49.17 грн
2500+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+73.89 грн
25+61.92 грн
100+45.38 грн
250+39.11 грн
500+35.26 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+75.03 грн
25+62.83 грн
100+46.07 грн
250+39.73 грн
500+35.83 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.21 грн
254+55.87 грн
500+53.85 грн
1000+50.23 грн
2500+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+72.84 грн
25+61.02 грн
100+44.68 грн
250+38.50 грн
500+34.70 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.