Продукція > RF9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF9957TR13RFMTCRODEV9733+
на замовлення 62478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958RFMD09+ SSOP28
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958RFMDRFMD
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9958TR13RF98
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9986RFMD
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9986TR13
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.17 грн
12+69.83 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.10 грн
259+54.81 грн
500+52.83 грн
1000+49.28 грн
2500+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+73.22 грн
25+61.36 грн
100+44.96 грн
250+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.34 грн
100+40.45 грн
500+31.96 грн
1000+30.65 грн
3000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.32 грн
10+62.64 грн
100+42.39 грн
500+35.97 грн
1000+31.48 грн
3000+26.79 грн
9000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+74.34 грн
25+62.25 грн
100+45.65 грн
250+39.37 грн
500+35.50 грн
1000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+59.76 грн
100+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BKFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.33 грн
254+55.99 грн
500+53.97 грн
1000+50.35 грн
2500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
12+68.06 грн
100+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BLFRATCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+77.80 грн
100+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+72.17 грн
25+60.46 грн
100+44.27 грн
250+38.15 грн
500+34.38 грн
1000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.26 грн
10+60.18 грн
100+40.73 грн
500+34.52 грн
1000+30.31 грн
3000+25.68 грн
9000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+58.87 грн
100+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.90 грн
10+60.65 грн
100+41.08 грн
500+34.79 грн
1000+30.58 грн
3000+25.96 грн
9000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+67.56 грн
100+39.21 грн
500+38.24 грн
3000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
12+68.78 грн
100+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+77.80 грн
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.058 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BKFRATCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+68.99 грн
100+40.04 грн
500+32.79 грн
1000+29.68 грн
3000+25.20 грн
6000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
12+68.30 грн
100+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9P120BLFRATCRROHMDescription: ROHM - RF9P120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.061 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2