Продукція > RH7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RH73X2A10GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A10GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 13292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A10GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 10 GOhms
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.39 грн
2000+119.31 грн
3000+118.14 грн
5000+109.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A1G5MTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 1.5G OHM 20% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 1.5 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A20GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 20 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 20Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 20G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 20 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 20G 30% 1000PPM
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A33GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 33G OHM 10% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 33 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A33GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 33G
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.74 грн
10+272.70 грн
25+253.55 грн
50+227.53 грн
100+219.24 грн
250+210.81 грн
500+207.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.55 грн
2000+211.97 грн
3000+210.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 50G 30% 1000PPM
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 10% 1/4W 1206
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.26 грн
2000+187.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE ConnectivityRes Thick Film 1206 10G Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±1000ppm/°C Pad SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2B 10G 10% 1000PPM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 10% 1/4W 1206
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.39 грн
10+246.14 грн
25+227.70 грн
50+203.67 грн
100+195.71 грн
250+187.61 грн
500+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE ConnectivityCategory: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 1206; 125mW,250mW; ±10%; 3.2x1.5x0.4mm
Type of resistor: thick film
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.125W; 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 3.2x1.5x0.4mm
Operating temperature: -55...125°C
Temperature coefficient: 1000ppm/°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+185.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH74-100M
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH745DremelDescription: 1-3/4" SDS-MAX COMBINATION HAMME
Packaging: Bulk
Tool Type: Rotary Hammer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH75R0JS10N
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH76001ATC
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 P-CH 30V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.31 грн
100+62.68 грн
500+46.92 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7E04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7G04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0119 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.99 грн
100+63.19 грн
500+47.32 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN3333 P-CH 40V 40A
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 P CHAN 30V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.56 грн
100+65.04 грн
500+48.77 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBLFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.95 грн
100+55.98 грн
500+41.71 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.33 грн
100+59.14 грн
500+44.17 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.93 грн
100+59.56 грн
500+44.49 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7G04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5800 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.87 грн
100+47.45 грн
500+35.12 грн
1000+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7G04DBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0127 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.35 грн
100+47.13 грн
500+34.87 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+71.78 грн
100+48.12 грн
500+35.63 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.18 грн
100+67.59 грн
500+50.76 грн
1000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.18 грн
100+67.59 грн
500+50.76 грн
1000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.74 грн
100+57.98 грн
500+43.27 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+88.08 грн
100+59.67 грн
500+44.57 грн
1000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7P04BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 100V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7P04BBLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.