Продукція > RH7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RH73X2A10GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A10GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
50+132.89 грн
100+126.45 грн
250+112.18 грн
500+96.65 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A10GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 30% 1/8W 0805
Resistance: 10 GOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Tolerance: ±30%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
10+129.23 грн
25+120.41 грн
50+108.80 грн
100+103.61 грн
250+99.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A10GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 10G 30% 1000PPM
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+123.85 грн
100+95.96 грн
500+95.27 грн
1000+91.12 грн
2000+88.36 грн
5000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A10GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 10 GOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.73 грн
2000+96.86 грн
3000+95.85 грн
5000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A10GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A10GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 10Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.81 грн
250+106.95 грн
500+95.96 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A1G5MTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 1.5G OHM 20% 1/8W 0805
Resistance: 1.5 GOhms
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Tolerance: ±20%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - RH73X2A20GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 20 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 20Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
50+258.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 20G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 20 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A20GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 20G 30% 1000PPM
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.57 грн
10+371.54 грн
50+287.87 грн
100+277.52 грн
250+276.83 грн
500+276.14 грн
1000+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A33GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 33G
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A33GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 33G OHM 10% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 33 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2A 50G 30% 1000PPM
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.98 грн
10+290.56 грн
25+235.41 грн
50+232.64 грн
100+224.36 грн
250+216.77 грн
500+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.35 грн
10+270.21 грн
25+251.22 грн
50+225.45 грн
100+217.23 грн
250+208.88 грн
500+205.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.04 грн
250+218.38 грн
500+187.08 грн
1000+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 50G OHM 30% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±30%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 50 GOhms
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+221.50 грн
2000+210.02 грн
3000+208.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2A50GNTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2A50GNTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 Gohm, ± 30%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 50Gohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 30%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.27 грн
50+248.87 грн
100+244.04 грн
250+218.38 грн
500+187.08 грн
1000+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 10Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
50+191.68 грн
100+184.44 грн
250+163.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD RH73 2B 10G 10% 1000PPM
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
10+273.89 грн
25+237.48 грн
50+183.63 грн
100+178.11 грн
500+176.73 грн
1000+135.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - RH73X2B10GKTN - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 Gohm, ± 10%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: N
Widerstand: 10Gohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 1000ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RH73 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.16 грн
250+157.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH73X2B10GKTNTE Connectivity Passive ProductDescription: RES SMD 10G OHM 10% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Resistance: 10 GOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH74-100M
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH745DremelDescription: 1-3/4" SDS-MAX COMBINATION HAMME
Packaging: Bulk
Tool Type: Rotary Hammer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH75R0JS10N
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH76001ATC
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7E04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.09 грн
500+61.85 грн
1000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.46 грн
100+62.10 грн
500+46.49 грн
1000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBROHMDescription: ROHM - RH7E04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.99 грн
10+114.37 грн
100+79.49 грн
500+62.15 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7E04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.14 грн
100+62.61 грн
500+46.89 грн
1000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.68 грн
100+64.44 грн
500+48.32 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.19 грн
100+55.47 грн
500+41.33 грн
1000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.53 грн
100+58.60 грн
500+43.76 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+87.13 грн
100+59.01 грн
500+44.09 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.18 грн
500+36.24 грн
1000+32.24 грн
3000+27.34 грн
6000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+70.22 грн
100+47.02 грн
500+34.80 грн
1000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04DBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.70 грн
100+46.70 грн
500+34.55 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+71.12 грн
100+47.68 грн
500+35.31 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+77.80 грн
100+44.94 грн
500+36.86 грн
1000+32.79 грн
3000+27.96 грн
6000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.27 грн
100+66.97 грн
500+50.30 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.27 грн
100+66.97 грн
500+50.30 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04BBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs DFN8 N CHAN 60V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+91.30 грн
100+55.02 грн
500+46.67 грн
1000+41.49 грн
3000+35.28 грн
6000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.96 грн
100+57.45 грн
500+42.87 грн
1000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBLFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+87.28 грн
100+59.12 грн
500+44.17 грн
1000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2