Продукція > STU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STU2NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
75+61.39 грн
150+55.16 грн
525+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU302SSAMHOPTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3030NTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3030NLSAMHOP07+ TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3030NLS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3030PL???TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU303STO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3055L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3055L2???TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3055LS
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3055LZ
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3055NL???TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU306S
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU309D
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU312D
на замовлення 16418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU314D
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU32160
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU32864PHILIPS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU32866PHIna
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3525NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3535BL
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU36NB20STMicroelectronicsSTMicroelectronics POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3LN62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
75+32.47 грн
150+31.17 грн
525+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+56.76 грн
100+44.25 грн
500+36.93 грн
1000+31.20 грн
6000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N45K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+67.08 грн
100+53.16 грн
500+43.56 грн
1000+38.31 грн
3000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N65M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+88.92 грн
100+50.60 грн
500+40.11 грн
1000+35.69 грн
3000+32.52 грн
6000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+61.21 грн
100+51.09 грн
500+41.56 грн
1000+36.17 грн
3000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU40100CT-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE ARR SCHOT 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU40100CT-BPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers 40A SCHOTTKY RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4030NL???TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU404D
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU405DH
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU407D
Код товару: 45750
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU407DH
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU408D
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU40N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU411D
на замовлення 17151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU417S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU418S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU418S
Код товару: 124527
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU419S
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU421STO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU426S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU428S
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU434S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU438S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU4530NLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU4J128
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3STTransistor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STU4N52K3 TSTU4N52K3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+93.68 грн
100+53.43 грн
500+42.39 грн
1000+37.69 грн
3000+33.62 грн
6000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+71.35 грн
100+55.48 грн
500+44.13 грн
1000+35.95 грн
2000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+86.53 грн
100+59.09 грн
500+48.81 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.52 грн
10+107.12 грн
100+73.13 грн
500+51.90 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+72.64 грн
100+57.51 грн
250+57.44 грн
500+49.36 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5025NLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5715STSOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5726ASTSOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5744ASTSOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N52K3STMicroelectronics
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+91.99 грн
100+71.71 грн
500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+57.08 грн
100+45.08 грн
500+38.45 грн
1000+33.96 грн
3000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+108.76 грн
100+75.25 грн
250+71.80 грн
500+62.82 грн
1000+51.15 грн
3000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
75+79.50 грн
150+69.52 грн
525+57.60 грн
1050+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N62K3STMicroelectronics
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N65M6STMicroelectronicsIsolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N70M6-SSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 700 V, 1.2 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N70M6-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+130.99 грн
100+78.70 грн
500+63.51 грн
1000+62.34 грн
3000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N80K5STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N95K3STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 2 Ohm typ 3.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU5NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU5NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6010EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6015EICTVS Diode Single Uni-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6015EICTVS Diode Single Uni-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6018EICTVS Diode Single Uni-Dir 14.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6018EICTVS Diode Single Uni-Dir 14.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]