Продукція > TK2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK20A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+158.78 грн
100+124.95 грн
500+102.86 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.11 грн
10+146.58 грн
100+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WS5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WS5VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60T
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60U
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60UToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.64 грн
50+243.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.35 грн
10+304.06 грн
100+193.99 грн
500+172.59 грн
1000+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.39 грн
10+347.93 грн
100+217.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.21 грн
90+158.92 грн
100+153.52 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+221.13 грн
101+140.80 грн
124+114.34 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaMOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.47 грн
10+295.33 грн
100+189.15 грн
500+167.75 грн
1000+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.46 грн
10+359.21 грн
100+219.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+162.66 грн
100+113.56 грн
500+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.14 грн
10+169.94 грн
100+119.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WRVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WRVQ(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50C
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50CToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50C (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D
Код товару: 154071
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.00 грн
100+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaMOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.95 грн
10+168.31 грн
100+107.69 грн
500+95.27 грн
1000+82.15 грн
2500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(STA1,E,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(STA1ES)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60T
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(COSEL,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)
Код товару: 108644
Додати до обраних Обраний товар
TOSHIBAТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(PED,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1PED1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1SHRP,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.38 грн
10+296.12 грн
100+214.70 грн
500+193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.22 грн
25+251.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.17 грн
10+266.75 грн
120+172.59 грн
510+169.82 грн
2520+164.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.00 грн
10+550.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.71 грн
3+265.08 грн
10+240.98 грн
20+229.35 грн
30+222.70 грн
150+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5ToshibaMOSFET N-CH 600V 20A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.51 грн
10+319.14 грн
120+204.34 грн
510+181.56 грн
1020+160.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.50 грн
10+388.20 грн
100+268.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.71 грн
216+251.37 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteDescription: RES 100 OHM 20W 5% TO220
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+346.57 грн
200+320.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.02 грн
57+248.72 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10K0JEOhmiteRes Thick Film 10K Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+290.12 грн
135+276.88 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10K0JEOhmiteDescription: RES 10K OHM 20W 5% TO220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+194.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10R0JEOhmiteRes Thick Film 10 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.02 грн
57+248.72 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10R0JEOhmiteDescription: RES 10 OHM 20W 5% TO220
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+280.44 грн
150+258.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]