Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0908NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSInfineonN-MOSFET 34V 44A 9.2mΩ BSC0909NSATMA1 Infineon TBSC0909ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.28 грн
456+31.09 грн
542+26.18 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.96 грн
13+34.07 грн
100+22.60 грн
250+19.53 грн
500+17.53 грн
1000+15.87 грн
2000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090BNSRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSINF09+
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+16.06 грн
888+15.97 грн
1000+15.78 грн
2000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+18.90 грн
754+18.81 грн
1000+18.71 грн
2000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.88 грн
36+21.21 грн
100+18.19 грн
250+16.67 грн
500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+21.21 грн
752+18.86 грн
760+18.67 грн
811+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.88 грн
100+27.27 грн
500+19.70 грн
1000+17.79 грн
2000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 1412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGXTInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.81 грн
72+197.00 грн
100+190.32 грн
250+177.96 грн
500+160.30 грн
1000+150.12 грн
2500+146.80 грн
5000+143.88 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.84 грн
104+137.30 грн
144+99.06 грн
500+80.51 грн
1000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.97 грн
172+82.69 грн
200+79.64 грн
500+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.47 грн
10+184.98 грн
25+184.51 грн
100+177.46 грн
250+163.89 грн
500+156.92 грн
1000+156.51 грн
3000+156.10 грн
6000+155.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.84 грн
10+137.30 грн
100+99.06 грн
500+80.51 грн
1000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.51 грн
100+184.03 грн
250+177.00 грн
500+163.46 грн
1000+156.51 грн
3000+156.10 грн
6000+155.69 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+117.57 грн
100+80.67 грн
500+60.87 грн
1000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.61 грн
100+89.30 грн
500+67.64 грн
1000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.28 грн
500+74.95 грн
1000+70.78 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.50 грн
160+89.11 грн
216+65.68 грн
227+60.42 грн
500+52.40 грн
1000+49.73 грн
2000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.28 грн
500+74.95 грн
1000+70.78 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 39335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC091N03MSCGATMA1 - BSC091N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.57 грн
383+37.03 грн
500+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.86 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 11282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
10+110.76 грн
50+84.25 грн
100+71.03 грн
500+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.35 грн
181+78.53 грн
208+68.23 грн
218+62.79 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.81 грн
252+56.32 грн
266+53.30 грн
500+43.28 грн
1000+36.70 грн
2000+32.56 грн
5000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.