Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 1412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGXTInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 1154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.35 грн
72+196.57 грн
100+189.90 грн
250+177.56 грн
500+159.94 грн
1000+149.78 грн
2500+146.48 грн
5000+143.56 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.32 грн
500+45.37 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.44 грн
10+136.99 грн
100+98.84 грн
500+80.33 грн
1000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.10 грн
100+183.62 грн
250+176.61 грн
500+163.10 грн
1000+156.16 грн
3000+155.76 грн
6000+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.78 грн
10+117.30 грн
100+80.49 грн
500+60.74 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.44 грн
104+136.99 грн
144+98.84 грн
500+80.33 грн
1000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.92 грн
10+89.20 грн
100+73.13 грн
500+57.16 грн
1000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.79 грн
172+82.50 грн
200+79.47 грн
500+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.05 грн
10+184.57 грн
25+184.10 грн
100+177.06 грн
250+163.53 грн
500+156.57 грн
1000+156.16 грн
3000+155.76 грн
6000+155.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.29 грн
160+88.92 грн
216+65.53 грн
227+60.28 грн
500+52.28 грн
1000+49.62 грн
2000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.32 грн
500+44.40 грн
1000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.49 грн
10+83.58 грн
100+61.32 грн
500+44.40 грн
1000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.12 грн
10+147.67 грн
100+101.74 грн
500+77.06 грн
1000+71.14 грн
2000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 39335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1338+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC091N03MSCGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC091N03MSCGATMA1 - BSC091N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.66 грн
252+56.20 грн
266+53.18 грн
500+43.19 грн
1000+36.62 грн
2000+32.49 грн
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
12+67.58 грн
100+56.57 грн
500+47.31 грн
1000+40.78 грн
5000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.49 грн
383+36.95 грн
500+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.57 грн
500+47.31 грн
1000+40.78 грн
5000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.72 грн
1000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+126.48 грн
100+86.44 грн
500+65.03 грн
1000+59.86 грн
2000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.16 грн
181+78.35 грн
208+68.08 грн
218+62.65 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.70 грн
12+71.20 грн
100+47.25 грн
500+34.55 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.25 грн
500+34.55 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.38 грн
10+102.68 грн
100+69.37 грн
500+51.72 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.47 грн
235+60.25 грн
249+56.95 грн
1000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.17 грн
19+40.11 грн
25+39.71 грн
100+25.25 грн
250+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 71671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+92.23 грн
100+61.99 грн
500+46.00 грн
1000+42.08 грн
2000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TISON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.85 грн
10000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.01 грн
500+27.54 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.75 грн
10000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.98 грн
10000+35.19 грн
15000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.43 грн
380+37.24 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.71 грн
541+26.18 грн
546+25.91 грн
703+19.41 грн
1057+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.88 грн
18+46.05 грн
100+38.01 грн
500+27.54 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.58 грн
210+67.66 грн
500+53.13 грн
1000+46.73 грн
2000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.00 грн
15+56.82 грн
100+37.53 грн
500+26.19 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.46 грн
10+89.84 грн
100+60.29 грн
500+44.69 грн
1000+40.87 грн
2000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 11218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.53 грн
500+26.19 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 37880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.96 грн
375+37.72 грн
389+36.40 грн
500+33.46 грн
1000+29.63 грн
5000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LS G
Код товару: 176096
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 66515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LS GInfineon
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.10 грн
27+28.32 грн
37+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]