Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+29.53 грн
620+22.85 грн
641+22.08 грн
779+17.53 грн
1076+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.94 грн
26+29.53 грн
100+22.03 грн
250+19.72 грн
500+15.58 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 15 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.55 грн
100+17.68 грн
500+12.60 грн
1000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.49 грн
26+31.38 грн
100+21.38 грн
500+15.62 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.38 грн
500+15.62 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.91 грн
100+21.31 грн
500+15.28 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 749 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVTQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVTQ-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3048LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3048LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -35A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.01 грн
20+38.31 грн
100+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.92 грн
24+34.87 грн
100+23.33 грн
500+15.17 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.27 грн
100+22.12 грн
500+15.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.33 грн
500+15.17 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.29 грн
26+31.62 грн
100+20.24 грн
500+14.27 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
783+18.07 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.24 грн
500+14.27 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7
Код товару: 177486
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.77 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 9097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.15 грн
100+18.03 грн
500+12.83 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+24.76 грн
100+15.79 грн
500+11.19 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
на замовлення 9782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.74 грн
100+13.86 грн
500+9.79 грн
1000+8.43 грн
2000+7.86 грн
5000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3497+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 1,38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 25, Qg, нКл = 11,8 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
на замовлення 24785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.09 грн
9000+6.73 грн
15000+5.94 грн
21000+5.72 грн
30000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES/ZETEXP-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W DMP3056L-7 Diodes TDMP3056l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DiodesTrans MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056L-7 - MOSFET, P-KANAL, -30V, -4.3A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
50+26.17 грн
100+17.48 грн
500+12.23 грн
1500+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES/ZETEXP-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W DMP3056L-7 Diodes TDMP3056l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.04 грн
100+14.04 грн
500+9.92 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM
Код товару: 105511
Додати до обраних Обраний товар
DiodesТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-26
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 4,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 45 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 948/
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.14 грн
50+33.16 грн
100+23.49 грн
500+17.96 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.49 грн
500+17.96 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.22 грн
500+14.94 грн
1500+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 97587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.25 грн
100+17.50 грн
500+12.47 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
6000+11.50 грн
9000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.73 грн
6000+11.43 грн
9000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 1.25W
на замовлення 13551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.64 грн
50+32.60 грн
100+21.22 грн
500+14.94 грн
1500+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
6000+7.93 грн
9000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 623 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+22.73 грн
500+18.53 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7DiodesMOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.47 грн
100+20.28 грн
500+14.49 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
15+28.01 грн
100+17.78 грн
500+13.42 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+10.90 грн
9000+10.39 грн
15000+9.21 грн
21000+8.89 грн
30000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.01 грн
27+30.81 грн
100+21.38 грн
500+16.08 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS-DUAL
на замовлення 5122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.22 грн
16+52.51 грн
100+34.95 грн
500+25.06 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+43.93 грн
100+28.76 грн
500+20.88 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DiodesTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R Транзистори
на замовлення 578 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
29+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13
Код товару: 116130
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.95 грн
500+25.06 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.78 грн
5000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
11+40.42 грн
100+26.50 грн
500+20.46 грн
650+19.71 грн
1000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+26.95 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]