Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP3036SFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
13+31.99 грн
100+20.11 грн
500+15.04 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.48 грн
4000+13.63 грн
6000+12.99 грн
10000+11.51 грн
14000+11.10 грн
20000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFVQ-7Diodes ZetexDMP3036SFVQ-7
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.76 грн
100+32.09 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13DiodesMOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3036SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.5 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A Automotive 8-Pin SO T/R DMP3036SSS-13 TDMP3036SSS-13 Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3036SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.5 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16.2A; 1.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+53.17 грн
25+44.60 грн
50+36.92 грн
100+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.02 грн
26+29.60 грн
100+22.08 грн
250+19.76 грн
500+15.62 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 15 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.30 грн
100+17.52 грн
500+12.48 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 931pF 19.3nC
на замовлення 21442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+29.60 грн
620+22.90 грн
641+22.13 грн
779+17.57 грн
1076+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13DiodesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A Automotive 8-Pin SO T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.61 грн
100+21.11 грн
500+15.14 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 749 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3045LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3048LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3048LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -35A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.95 грн
100+21.92 грн
500+15.72 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.11 грн
20+38.40 грн
100+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
15+27.75 грн
100+16.45 грн
500+12.13 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+29.99 грн
25+24.95 грн
50+20.49 грн
100+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.80 грн
6000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7
Код товару: 177486
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
9000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.80 грн
6000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
783+18.11 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.53 грн
100+15.65 грн
500+11.08 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -20A; 1.38W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DiodesTrans MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
6000+10.03 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.90 грн
25+20.70 грн
50+16.97 грн
100+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
на замовлення 55626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056L-7 - MOSFET, P-KANAL, -30V, -4.3A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 1,38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 25, Qg, нКл = 11,8 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
6000+10.03 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056L-7DIODES/ZETEXP-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W DMP3056L-7 Diodes TDMP3056l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM
Код товару: 105511
Додати до обраних Обраний товар
DiodesТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-26
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 45 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 948/
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.