Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMM128GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM MICROSD 128GB MLC DIAMOND G
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17944.89 грн
10+17017.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM MICROSD 128GB MLC DIAMOND GR
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21633.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK MICROSD 128GB MLC DIAMOND
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18474.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD MICROSD 128GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21167.92 грн
10+18749.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM MICROSD 128GB MLC GOLD GRAD
Memory Size: 128GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17944.89 грн
10+17017.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM MICROSD 128GB MLC GOLD GRADE
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 128GB
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18099.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK MICROSD 128GB MLC GOLD GR
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 128GB
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18099.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM128MSE-1001Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I MICROSD 128MB SLC DIAMON
Packaging: Tray
Memory Size: 128MB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2065.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV MICROSD 256GB 3D TLC (-25C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9532.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBC-3200FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBC-3200 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 256 GB, A2
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: A2
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4884.74 грн
5+4274.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBC-3200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD MICROSD 256GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 256GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBC-5700FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBC-5700 - Flash-Speicherkarte, MicroSD Express-Karte, 256 GB, Klasse 10, UHS-I U3, V30
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: V30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD Express-Karte
UHS-Standard: UHS-I U3
Produktpalette: Fx Premium Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15749.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD MICROSD 256GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 256GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8592.67 грн
10+7448.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 256 GB, -25 °C, 85 °C
tariffCode: 85235110
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
Versorgungsspannung, nom.: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9525.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 256 GB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10487.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM256MSE-N100FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM256MSE-N100 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 256 MB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 256MB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxPrem I Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1714.69 грн
5+1674.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM512GBC-3200FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMM512GBC-3200 - Flash-Speicherkarte, MicroSDXC-Karte, 512 GB, A2
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 512GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: MicroSDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: A2
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10756.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM512GEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: FXMAV MICROSD 512GB QLC COMMERCI
Packaging: Tray
Memory Size: 512GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11078.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM512MSE-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CRD MICROSD 512MB CLS 10 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 512MB
Speed: Class 10
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMM512MSG-1001Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I MICROSD 512MB SLC GOLD G
Packaging: Tray
Memory Size: 512MB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1474.05 грн
10+1321.71 грн
25+1307.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203onsemiDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.83 грн
100+64.61 грн
500+48.49 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203onsemi / FairchildMOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+107.97 грн
25+88.36 грн
100+67.58 грн
500+53.71 грн
1000+49.36 грн
3000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203onsemiDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.86 грн
6000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203ON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203onsemiMOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+116.70 грн
100+69.72 грн
500+53.23 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Semiconductor structure: common drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ONS/FAIOR CTRLR BRIDGE RECT MLP-12 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205onsemiDescription: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Current - Supply: 400 µA
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.67 грн
10+283.09 грн
100+207.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205onsemi / FairchildHot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.49 грн
10+320.73 грн
25+274.76 грн
100+207.10 грн
250+206.41 грн
500+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.70 грн
10+328.77 грн
25+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 57V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.42 грн
500+193.70 грн
1000+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.70 грн
44+328.77 грн
55+258.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205onsemiDescription: IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Current - Supply: 400 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205onsemiHot Swap Voltage Controllers GreenBridge 2 Series HE Bridge Rectifiers
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.43 грн
10+319.94 грн
25+229.19 грн
100+207.79 грн
250+204.34 грн
1000+188.46 грн
3000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 57 V, 57 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 57V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.147ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 57V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.15 грн
10+337.46 грн
100+294.78 грн
500+242.31 грн
1000+189.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AonsemiBridge Rectifiers FET 100V QUAD N&P CHANNEL MLP
на замовлення 14372 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
1+350.35 грн
10+227.05 грн
100+138.07 грн
500+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+195.33 грн
500+192.87 грн
1000+183.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205A
Код товару: 189272
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.80 грн
10+227.93 грн
100+158.66 грн
500+120.41 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.57 грн
6000+143.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 51/147mΩ
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.01 грн
6000+143.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AonsemiDescription: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
Current - Supply: 400 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205Aonsemi / FairchildBridge Rectifiers GreenBridgeTM 2 Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers
на замовлення 8825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.00 грн
10+193.71 грн
100+119.43 грн
500+108.38 грн
1000+102.86 грн
3000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+146.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: GreenBridge 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.52 грн
500+138.36 грн
1000+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AONS/FAIOR Controller Bridge Rectifier N and P-Channel Bridge (2) 12-MLP (5x4.5) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+146.66 грн
6000+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205AonsemiDescription: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Bridge Rectifier
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 57V (Max)
Applications: Power Over Ethernet (PoE)
Internal Switch(s): Yes
FET Type: N and P-Channel
Ratio - Input:Output: Bridge (2)
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
Current - Supply: 400 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 20501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+183.83 грн
100+129.93 грн
500+112.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403onsemiMOSFETs SER BOOST LED DRVR
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+210.38 грн
100+136.00 грн
500+117.36 грн
3000+109.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+333.43 грн
50+209.40 грн
100+158.66 грн
500+127.14 грн
1500+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403ON Semiconductor
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403onsemi / FairchildMOSFETs SER BOOST LED DRVR
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+196.09 грн
25+164.30 грн
100+131.16 грн
500+118.05 грн
1000+111.84 грн
3000+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.05 грн
500+135.36 грн
1500+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.11 грн
500+94.98 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+194.52 грн
100+137.38 грн
500+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LonsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+208.79 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
3000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.35 грн
10+212.62 грн
100+149.80 грн
500+126.39 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.10 грн
10+173.07 грн
25+145.66 грн
100+109.76 грн
250+105.62 грн
500+100.10 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001GSE-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 1GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 1GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2054.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSDonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSDonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+88.35 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSDONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSDON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001TEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 1TB QLC
Packaging: Tray
Memory Size: 1TB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15341.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS002G-C60Flexxon Pte LtdDescription: SD 2GB
Part Status: Active
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 2GB
Packaging: Box
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS002GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 2GB PSLC DIAMOND GR
Packaging: Tray
Memory Size: 2GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1785.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+326.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08CON SemiconductorN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08CON Semiconductor
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.19 грн
10+389.79 грн
100+324.78 грн
500+268.93 грн
1000+242.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08ConsemiMOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.92 грн
10+373.13 грн
100+251.97 грн
1000+249.21 грн
3000+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08CON SemiconductorN Channel MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.46 грн
96000+101.85 грн
192000+94.76 грн
288000+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004G-CA0Flexxon Pte LtdDescription: SD 4GB
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.16 грн
10+916.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004G-CA0FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS004G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 4 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 4GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.10 грн
5+1021.24 грн
10+982.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GMC-XE00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS004GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSDHC-Karte, 4 GB, Klasse 10
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 4GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: MicroSDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1837.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 4GB MLC COMMERCIAL GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1780.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GME-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1610.74 грн
10+1436.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 4GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1706.26 грн
10+1522.29 грн
25+1474.14 грн
50+1349.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 4GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1471.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2155.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPC-1004Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1780.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPG-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2141.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1620.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1440.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GPG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB PSLC
Packaging: Box
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1440.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 4GB SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6205.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GSG-1001Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 4GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004GTTE7-103-15Flexxon Pte LtdDescription: FXPRO I SD 4GB PSLC DIAMOND GRAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004N08CONN
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004N08ConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]