Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMQ8205A Код товару: 189272
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FDMQ8403 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 Mounting: SMD Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 17W Gate charge: 5nC Polarisation: unipolar Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET x4 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN12 On-state resistance: 191mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ8403 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm tariffCode: 85413000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 17W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ8403 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SER BOOST LED DRVR | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ8403 | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMQ8403 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ8403 | onsemi | MOSFETs SER BOOST LED DRVR | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ8403 | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Part Status: Active | на замовлення 6257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMQ86530L | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 10118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ86530L | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMQ86530L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ86530L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 23625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ86530L | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Mounting: SMD Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 22W Gate charge: 33nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x4 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: MLP12 On-state resistance: 17.5mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ86530L | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMQ86530L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS001GSE-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 1GB UHS CLASS 1 SLC Packaging: Tray Memory Size: 1GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS001N025DSD | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-263AB Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS001N025DSD | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS001TEC-T300 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 1TB QLC Packaging: Tray Memory Size: 1TB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: QLC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS002G-C60 | Flexxon Pte Ltd | Description: SD 2GB Packaging: Box Memory Size: 2GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS002GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 2GB PSLC DIAMOND GR Packaging: Tray Memory Size: 2GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS003N08C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS003N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS003N08C | onsemi | MOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS003N08C | ON Semiconductor | N Channel MOSFET | на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS003N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS003N08C | ON Semiconductor | N Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004G-CA0 | Flexxon Pte Ltd | Description: SD 4GB Packaging: Box Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004G-CA0 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS004G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 4 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 4GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 4GB MLC COMMERCIAL GRADE Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GMC-XE00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS004GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSDHC-Karte, 4 GB, Klasse 10 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 4GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: - Betriebstemperatur, min.: - Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: MicroSDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: - | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GME-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 MLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 4GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 4GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GPC-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GPG-1001 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 PSLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GPG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GPG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 170 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GSE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB SLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004GSG-1001 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 4GB UHS CLASS 1 SLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004GTTE7-103-15 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPRO I SD 4GB PSLC DIAMOND GRAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004N08C | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Pulsed drain current: 637A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 40 V | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS004N08C | onsemi | MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS004N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | MOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6 | на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 92.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 92.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 53A Pulsed drain current: 345A Power dissipation: 92.6W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS007N08LC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 92.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008G-CA0 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: - productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008G-CA0 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GBC-3100 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 TLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GMC-1000 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 8GB MLC COMMERCIAL GRADE Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GMC-XE00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 8 GB, Klasse 10 tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: - Betriebstemperatur, min.: - Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GME-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 8GB UHS CLASS 1 MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 8GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 4GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 4GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GMG-N200 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-N200 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, Klasse 10, 8 GB, -25 °C, 85 °C, FxPrem II Series tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte, Klasse 10 productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB Versorgungsspannung, nom.: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Betriebstemperatur, min.: -25°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: FxPrem II Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 8GB MLC GOLD GRADE Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 8GB MLC GOLD GRADE Packaging: Box Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GMG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 8GB MLC GOLD GRADE Packaging: Box Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GMG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS008GMG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 8 GB tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 8GB isCanonical: Y usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - euEccn: NLR Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 8GB PSLC DIAMOND GR Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 8GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GSE-1001 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPRO I SD 8GB SLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 8GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: FLASH Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS008GSE-1004 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPRO I (HIGHIOPS) SD 8GB SLC DI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS008GSE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 8GB SLC DIAMOND GRA Packaging: Tray Memory Size: 8GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | MOSFETs NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS015N04B | ON Semiconductor | FDMS015N04B ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 31.3A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 11670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8725 pF @ 20 V | на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS015N04B | ON Semiconductor | FDMS015N04B ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 31.3A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS015N04B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8725 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS016G-CA0 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 16 GB, UHS-I U1 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte UHS-Standard: UHS-I U1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS016G-CA0 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB UHS CLASS 1 Packaging: Tray Memory Size: 16GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GBC-3100 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB UHS CLASS 1 TLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS016GBG-3101 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXADV SD 16GB 3D TLC GOLD GRADE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS016GCE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GCG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 16GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC COMMERCIAL GRAD Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GMC-XE00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS016GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 16 GB tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 16GB Versorgungsspannung, nom.: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: - Betriebstemperatur, max.: - usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS016GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 16GB MLC DIAMOND GR Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 16GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 16GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 16GB MLC GOLD GRADE Packaging: Tray Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDMS016GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 16GB MLC GOLD GRADE Packaging: Box Memory Size: 16GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

