Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392VISHAY05+
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DPVISHAY0748+ SOP8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DP-T1
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DP-T1-E3VISHAY2003
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DP-TI-E3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DPT1E3VISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7392DY-T1
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI73C-01200Утримувач nanoSim карти типу PUSH-PUSH з контактом наявності картки HOLDER
на замовлення 674 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI73C-01200
Код товару: 198976
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7401DN-T1
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7402DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDNSI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403DNVISHAY09+
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403DN-T1SILICON03+
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404SIO6
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN-T1
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN-T1-E3VISHAY
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7404DN-TI-E3
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405DNSI
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405DN-T1VISHAY
на замовлення 17454 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405DN-T1-E3VISHAY05+/06
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7407DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7407DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409DN-T1
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409DN-T1-E3
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7412DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DNVISHAY09+
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.27 грн
10+116.16 грн
100+91.54 грн
250+86.39 грн
500+64.09 грн
1000+56.15 грн
3000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.80 грн
10+126.86 грн
100+87.21 грн
500+65.93 грн
1000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7414DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.96 грн
122+116.74 грн
154+92.00 грн
250+86.81 грн
500+64.41 грн
1000+56.43 грн
3000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 7267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.18 грн
10+85.22 грн
100+60.35 грн
500+46.26 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DNVISHAY09+
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.12 грн
10+147.85 грн
25+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
10+112.68 грн
100+77.05 грн
500+58.01 грн
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.65 грн
6000+47.57 грн
9000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
10+112.68 грн
100+77.05 грн
500+58.01 грн
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]