Продукція > TSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM11001FSV
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110CNSTM2003
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.94 грн
5000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V 54A 11mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 7240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.76 грн
100+32.11 грн
500+23.42 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+49.73 грн
100+38.77 грн
500+32.23 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCRTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators 40V, 54A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 15996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.15 грн
100+35.65 грн
500+26.01 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.41 грн
100+31.01 грн
500+22.50 грн
1000+20.38 грн
2000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+67.23 грн
100+52.29 грн
500+41.60 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 47A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+69.93 грн
100+46.71 грн
500+34.49 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CST01+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR TRPL V/C 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDT
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDTSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 20-SO
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CM
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CNST06+ DIP-20;
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 20-DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111ID
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121IDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING MULT OTPT 14SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121IN
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121INSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1NinigiТумблер; 1; SPDT; ON-(ON); 3A/250ВAC; Выв: под пайку Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1---Тумблер 250 V 3A Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Type of switch: toggle
Stable positions number: 1
Switching method: ON-(ON)
Contacts configuration: SPDT
Number of positions: 2
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Electrical life: 20000 cycles
Leads: for soldering
Max. contact resistance:: 20mΩ
Body colour: black
Operating temperature: -25...85°C
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
Related items: TSPC05-M
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: round
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.39 грн
6+80.11 грн
20+66.48 грн
100+51.02 грн
500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1/TCNINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Type of switch: toggle
Stable positions number: 1
Switching method: ON-(ON)
Contacts configuration: SPDT
Number of positions: 2
Mounting hole dimensions: Ø6mm
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Electrical life: 20000 cycles
Leads: for soldering
Max. contact resistance:: 20mΩ
Body colour: black
Operating temperature: -25...85°C
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
Related items: TSPC05-M
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: round
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.39 грн
5+93.07 грн
20+78.94 грн
100+60.66 грн
500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDSTSOP-14
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDTST0311+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDTSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 14-DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CN
Код товару: 150021
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Type of switch: toggle
Stable positions number: 1
Switching method: ON-(ON)
Contacts configuration: SPDT
Number of positions: 2
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Electrical life: 20000 cycles
Leads: for soldering
Max. contact resistance:: 20mΩ
Body colour: black
Operating temperature: -25...85°C
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Actuator material: metal
Knob height: 12mm
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: flat
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.65 грн
6+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11301HDVPTR
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1NinigiТумблер; важільний; Поз: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250ВAC Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1
Код товару: 201329
Додати до обраних Обраний товар
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SP3T
Stable positions number: 2
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: flat
Switching method: ON-OFF-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 3
Actuator material: metal
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.08 грн
5+103.87 грн
20+81.43 грн
100+67.31 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1142-1LF
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM114CNSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11Q-1RM-H01Applied MotionStepper Motors NEMA 11, Prog. RS485 w/ side conn.
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11Q-2RM-002Applied MotionStepper Motors TBSM11 Linear Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11Q-3RMApplied MotionStepper Motors NEMA 11 StepSERVO Integrated Motor w/ Q Programming & Modbus RTU, RS485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM12
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1200
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1205D
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1205STRACO POWERDC-DC Converter; Isolated; Single Output; 1W; 200mA; 5V; 1kV; 10,8V~13,2V; -40°C~85°C; EFF 81%; TPET1205; TSM 1205S UITSM1205s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+484.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 70A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 54A, Single N- Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.68 грн
5000+35.39 грн
10000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.19 грн
50+49.48 грн
100+41.36 грн
500+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.72 грн
5000+35.43 грн
10000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 14W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 14W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36.5nC
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR TTSM120n06lcr
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 23A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
10+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N10PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 100V 58Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N10PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3902 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CRTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 39A, 11.7mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 39A, 11.7mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1212S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1215S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.