Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.44 грн
10+115.63 грн
100+70.53 грн
500+55.44 грн
800+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.78 грн
10+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.88 грн
173+82.05 грн
189+75.21 грн
250+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730
Код товару: 105699
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730-7PPBFInfineon
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.61 грн
10+430.89 грн
50+404.92 грн
100+234.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+176.01 грн
1000+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.60 грн
500+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.72 грн
1600+102.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.03 грн
10+183.30 грн
100+155.60 грн
500+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineonN-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.75 грн
10+213.60 грн
100+131.28 грн
500+122.20 грн
800+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP
Код товару: 103419
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+275.94 грн
64+224.91 грн
100+220.18 грн
200+149.02 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.23 грн
10+192.67 грн
100+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.60 грн
10+239.30 грн
100+172.47 грн
500+97.06 грн
800+96.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.29 грн
40+362.05 грн
50+348.25 грн
100+324.42 грн
250+291.28 грн
500+272.02 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.01 грн
1600+133.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.79 грн
10+280.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.65 грн
50+305.24 грн
100+191.84 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.71 грн
10+206.77 грн
20+189.96 грн
50+168.94 грн
100+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.58 грн
10+236.09 грн
25+180.85 грн
100+134.07 грн
500+130.58 грн
800+111.72 грн
2400+105.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 197A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.35 грн
10+216.70 грн
100+167.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
10+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+200.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.28 грн
800+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.92 грн
25+64.62 грн
100+60.99 грн
250+55.91 грн
500+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS820B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BFAIRCHILDIRFS820B
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS820BTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 19132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS830Bonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS840B
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9630IR96 TO220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]