Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFTS9342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineonMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.65 грн
393+36.15 грн
500+34.84 грн
1000+32.50 грн
2500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 595 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 5,8 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFIRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 16432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.33 грн
500+31.94 грн
1000+18.14 грн
3000+17.40 грн
6000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF
Код товару: 87001
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInternational RectifierMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.81 грн
12+27.46 грн
100+11.80 грн
500+11.45 грн
1000+10.40 грн
3000+8.80 грн
6000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
12+26.02 грн
100+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
6000+11.47 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
6000+11.47 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.82 грн
17+25.47 грн
50+18.74 грн
100+16.64 грн
250+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU-9310International Rectifier/InfineonР-канальний ПТ, Udss, В = -400, Id = -1,8, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 13, Rds = 7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU010FAIRCHILDTO-251
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014
Код товару: 77976
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Idd,A: 7,7 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU014PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014AOU454AO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.27 грн
16+47.98 грн
100+42.53 грн
500+38.43 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+32.01 грн
468+30.33 грн
500+29.40 грн
1000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.27 грн
23+33.71 грн
24+32.01 грн
100+29.24 грн
500+26.25 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
75+62.51 грн
150+56.14 грн
525+44.17 грн
1050+40.48 грн
2025+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.38 грн
331+42.89 грн
500+40.18 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.23 грн
14+60.85 грн
100+46.44 грн
500+36.61 грн
1000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.65 грн
10+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020
Код товару: 110891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay Siliconix14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.53 грн
1051+128.52 грн
2721+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational RectifierPOWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF
Код товару: 112197
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.64 грн
10+79.34 грн
100+46.64 грн
500+37.08 грн
1000+34.01 грн
3000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.37 грн
1000+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A Tube
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.37 грн
1000+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU024PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.33 грн
191+74.35 грн
500+71.92 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 14A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.59 грн
10+85.12 грн
100+63.05 грн
500+55.65 грн
1000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.86 грн
7+64.89 грн
10+61.95 грн
25+59.34 грн
50+57.07 грн
75+55.22 грн
150+52.11 грн
1050+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.54 грн
75+78.51 грн
150+70.84 грн
525+56.23 грн
1050+51.80 грн
2025+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF
Код товару: 49505
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+100.00 грн
10+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFIR06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110VishayN-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110Harris CorporationDescription: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1109110IR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110ATU
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.61 грн
387+36.72 грн
396+35.85 грн
525+34.23 грн
1050+29.13 грн
2025+27.35 грн
5025+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
17+49.12 грн
100+41.14 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.12 грн
10+36.46 грн
500+30.72 грн
1000+28.91 грн
3000+26.67 грн
6000+25.77 грн
24000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.19 грн
75+56.70 грн
150+50.93 грн
525+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.88 грн
75+75.63 грн
150+67.78 грн
525+54.56 грн
1050+46.17 грн
2025+41.00 грн
5025+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Infineon / IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120-VBVBsemiN-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.31 грн
10+84.32 грн
100+57.26 грн
500+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInternational RectifierIPAK=TO-251AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]